磁芯gap的计算

磁芯gap的计算:
1. 计算空气隙: lg'=0.4π*10^-8*Ae*Np^2/Lp-1/AL    cm
2. 计算磁通边缘因素: F="1"+lg'/Ae^0.5*ln(2G/lg')
3. 计算有效空气隙(中柱): lg="lg"'*F   cm

Ae: 磁芯截面积 cm2
Lp: 要求电感值  H
G: 磁芯窗口宽度 cm
ln: 自然对数

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功率与电流密度对照表

功率与电流密度对照表

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RC放电时间电压波形的计算表格

计算RC放电时间电压波形的ＥＸＣＥＬ表格奉上给大家：

用法：在青色单元格内输入“时间”、“电压”、“电阻”、“电容”等参数，左边几列数据自动更新计算，贴图内的电压时间波形也跟随输入参数变化。
　　
　　适用范围：理想二极管整流滤波电路的阻容计算；ＤＲＣ钳位网络的阻容计算等。

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MCS-51系列指令快速记忆法

随着微电子技术和超大规模集成电路技术的发展，单片微型计算机以其体积小、性价比高、功能强、可*性高等独有的特点，在各个领域（如工业控制、家电产品、汽车电子、通信、智能仪器仪表）得到了广泛的应用。学习、使用单片机的人越来越多，而生产单片机的厂家很多，单片机种类繁杂，不知如何选择。据统计，八位单片机占全球单片机销量的65％。在八位单片机中，Intel公司的8051单片机内核已成为8位单片机事实上的标准。因此，对初学者而言，选择8051 单片机来学习不失为明智的选择。
　　学习单片机，除了搞清单片机内部功能、存储空间分配及I/O接口外，还应掌握其指令系统。MCS－51共有111条指令，现介绍我们总结出的快速记忆MCS－51指令的方法，供大家参考。
　　大家都知道，汇编语言指令由操作码、操作数两部分组成。MCS－51使用汇编语言指令，它共有44个操作码助记符，33种功能，其操作数有＃data、direct、Rn、@Ri等。这里先介绍指令助记符及其相关符号的记忆方法。
　　一、助记符号的记忆方法
　　1表格列举法
　　把44个指令助记符按功能分为五类，每类列表记忆。此处从略，请读者自己总结。

　　2英文还原法
　　单片机的操作码助记符是该指令功能的英文缩写，将缩写还原成英语原文，再对照汉语有助于理解其助记符含义，从而加强记忆。例如：
增量 INC－Incremect　 减量 DNC－Decrement
短转移 SJMP－Short jump 　长转移 LJMP－Long jump
比较转移 CJNE－Compare jump not equality　
绝对转移 AJMP－Absolute jump　空操作 NOP－No operation
交换 XCH－Exchange　　　 加法　ADD－Addition
乘法 MUL－Multiplication　 除法 DIV－Division
左环移 RL－Rotate left　 进位左环移 RLC－Rotate
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 left carry
右环移 RR－Rotate right　 进位右环移RRC－Rotate
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 right carry
　　3功能模块记忆法
　　单片机的44个指令助记符，按所属指令功能可分为五大类，每类又可以按功能相似原则为2～3组。这样，化整为零，各个击破，实现快速记忆。
　　1）数据传送组。　　　　　　2）加减运算组
　　　MOV 内部数据传送　　 　 ADD 加法
　　　MOVC 程序存储器传送　　 ADDC 带进位加法
　　　MOVX 外部数据传送　　　 SUBB 带进位减法
　　3）逻辑运算组。　　　　　 4）子程序调用组。
　　　ANL 逻辑与　　　　　　  LCALL 长调用
　　　ORL 逻辑或　　　　　　  ALALL 绝对调用
　　　XRL 逻辑异或　　　　　  RET 子程序返回

　　二、指令的记忆方法
　　1指令操作数的有关符号
　　MCS－51的寻址方式共有六种：立即数寻址、直接寻址、寄存器寻址、寄存器间址、变址寻址、相对寻址。我们必须掌握其表示的方法。
　　1）立即数与直接地址。
　 ata表示八位立即数，＃data16表示是十六位立即数，data或direct表示直接地址。
　　2）Rn(n=0－7)、A、B、CY、DPTR寄存器寻址变量。
　　3）@R0、@R1、@DPTR、SP表示寄存器间址变量。
　　4）DPTR＋A、PC＋A表示变址寻址的变量。
　　5）PC＋rel（相对量）表示相对寻址变量。
　　记住指令的助记符，掌握不同寻址方式的指令操作数的表示方法，为我们记忆汇编指令打下了基础。MCS－51指令虽多，但按功能可分为五类，其中数据传送类28条，算术运算类24条，逻辑操作类25条，控制转移类17条，布尔位操作类17条。在每类指令里，根据其功能，抓住其源、目的操作数的不同组合，再辅之以下方法，是完全能记住的。我们约定，可能的目的操作数按（＃data/direct/A/Rn/@Ri）顺序表示。
　　对于MOV指令，其目的操作数按A、Rn、direct、@Ri的顺序书写，则可以记住MOV的15条指令。例如以累加器A为目的操作数，可写出如下4条指令。
　　MOV A，＃data/direct/A/Rn/@Ri
　　以此类推，写出其它指令。
　　MOV Rn，＃data/direct/A
　　MOV direct，＃data/direct/A/Rn/@Ri
　　MOV @Ri，＃data/direct/A
　　2指令图示记忆法
　　图示记忆法是把操作功能相同或相似、但其操作数不同的指令，用图形和箭头将目的、源操作数的关系表示出来的一种记忆方法。例如：由助记符MOV、MOVX、MOVC组成的送数组指令，可以用图1、2帮助记忆。
　　由助记符CJNE形成的四条指令，也可以用图示法表示，如图3。
CJNE A，＃data，rel　　 CJNE A，direct，rel
CJNE @Rn，＃data，rel　CJNE @Ri，＃data，rel
　　另外，对于由（ANL、ORL、ARL）形成的18条逻辑操作指令，有关A的四条环移指令，也可以用图示法表示，请读者自行画出记忆。
　　3相似功能归类法
　　在MCS－51指令中，我们发现部分指令其操作码不同，但功能相似，而操作数则完全一样。相似功能归类法就是把具有这样特点的指令放在一起记忆，只要记住其中的一条，其余的也就记住了。如加、减法的十二条指令，与、或、非的十八条指令，现列举如下:
　　ADD/ADDC/SUBB A，＃data/direct/Rn/@Ri
　　ANL/ORL/XRL A，＃data/direct/Rn/@Ri
　　ANL/ORL/XRL direct，＃data/a
　　上述每一排指令，功能相似，其操作数都相同。其它的如加1(INC)、减1(DEC)指令也可照此办理。
　　4口诀记忆法
　　对于有些指令，我们可以把相关的功能用精练的语言编成一句话来记忆。如PUSH direct和POP direct这两条指令。初学者常常分不清堆栈SP的变化情况，为此编成这样一句话：(SP的内容)加1(direct的内容)再入栈，(SP的内容)弹出(到direct单元)SP才减1。又如乘法指令中积的存放，除法指令中被除数和除数以及商的存放，都可以编成口诀记忆如下。
　　MUL AB　　高位积(存于)B，低位积(存于)A。
　　DIV AB　　A除以B，商(存于)A余(下)B。
　　上面介绍了几种快速记忆单片机指令的方法，希望能起到抛砖引玉的作用，相信读者在学习单片机的过程中能找到适合自己的方法来记忆。但是，有了好的方法还不够，还需要实践，即多读书上的例题和别人编写的程序，自己再结合实际编写一些程序。只有这样，才能更好更快地掌握单片机指令系统

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电源排序电路

发个电源排序电路给大家参考

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场效应管英汉对照表

场效应管英汉对照表

Cds---漏-源电容 y\:,\qfP:  
Cdu---漏-衬底电容 RwL"fC(  
Cgd---栅-源电容 yo|3O

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镍氢电池和其它充电电池的对比

可充电电池主要有铅酸蓄电池和碱性蓄电池两种。目前使用的镍镉(NiCd)、镍氢(NiMH)和锂离子(Li－Ion)电池都是碱性电池。
　　铅酸电池阀控式免维护铅酸电池的基本结构如图1所示。它由正负极板、隔板、电解液、安全阀、气塞、外壳等部分组成。正极板上的活性物质是二氧化铅 (PbO2)，负极板上的活性物质为海绵状纯铅(Pb)。电解液由蒸馏水和纯硫酸按一定比例配制而成。电池槽中装入一定密度的电解液后，由于电化学反应，正、负极板间会产生约为2.1V的电动势。

新铅酸电池初次使用时，必须先充满电。如采用0.1C充电速率充电，大约需要55～75小时。蓄电池正常使用放完电后，应立即充电。通常采用的方法有：(1)分级定流充电法；(2)低压恒压充电法(带负载充电)；(3)快速充电法。快速充电的初充时间不超过5小时，正常充电时间可缩短到1小时左右。
　　
镍镉电池NiCd电池正极板上的活性物质由氧化镍粉和石墨粉组成，石墨不参加化学反应，其主要作用是增强导电性。负极板上的活性物质由氧化镉粉和氧化铁粉组成，氧化铁粉的作用是使氧化镉粉有较高的扩散性，防止结块，并增加极板的容量。活性物质分别包在穿孔钢带中，加压成型后即成为电池的正负极板。极板间用耐碱的硬橡胶绝缘棍或有孔的聚氯乙烯瓦楞板隔开。电解液通常用氢氧化钾溶液。与其它电池相比，NiCd电池的自放电率(即电池不使用时失去电荷的速率)适中。NiCd电池在使用过程中，如果放电不完全就又充电，下次再放电时，就不能放出全部电量。比如，放出80％电量后再充足电，该电池只能放出80％的电量。这就是所谓的记忆效应。当然，几次完整的放电/充电循环将使 NiCd电池恢复正常工作。由于NiCd电池的记忆效应，若未完全放电，应在充电前将每节电池放电至1V以下。
　　
镍氢电池NiMH电池正极板材料为NiOOH，负极板材料为吸氢合金。电解液通常用30％的KOH水溶液，并加入少量的NiOH。隔膜采用多孔维尼纶无纺布或尼龙无纺布等。NiMH电池有圆柱形和方形两种。圆柱形密封NiMH电池的结构如图2所示。

NiMH 电池具有较好的低温放电特性，即使在－20℃环境温度下，采用大电流(以1C放电速率)放电，放出的电量也能达到标称容量的85％以上。但是，NiMH电池在高温(＋40℃以上)时，蓄电容量将下降5～10％。这种由于自放电(温度越高，自放电率越大)而引起的容量损失是可逆的，几次充放电循环就能恢复到最大容量。NiMH电池的开路电压为1.2V，与NiCd电池相同。
　　
NiCd/NiMH电池的充电过程非常相似，都要求恒流充电。两者的差别主要在快速充电的终止检测方法上，以防止电池过充电。充电器对电池进行恒流充电，同时检测电池的电压和其它参数。当电池电压缓慢上升达到一个峰值，对NiMH电池快速充电终止，而NiCd电池则当电池电压第一次下降了一个－△V时终止快速充电。为避免损坏电池，电池温度过低时不能开始快速充电，电池温度Tmin低于10℃时，应转入涓流充电方式。而电池温度一旦达到规定数值后，必须立即停止充电。
　　
锂离子电池液态电解质圆柱型锂离子电池基本构造如图3所示。用LiCoO2复合金属氧化物在铝板上形成阳极，用锂碳化合物在铜板形成阴极，极板间插入有亚微米级微孔的聚烯烃薄膜隔板，电解液为有机溶剂。为避免使用不当造成电池损坏，在锂离子电池内设有3种安全机构：(1)正温度系数元件(PTC)。当电池内的温度过高， PTC的阻值随之上升，会自动将阴极引线与阴极之间电路切断；(2)特殊材料的隔板。当电池内温度上升到一定数值时，隔板上微孔会自动溶解掉，从而使电池内的反应停止；(3)安全阀。当电池内部压力升高到一定数值时，安全阀将自动打开。

锂电池易受到过充电、深放电以及短路的损害。单体锂离子电池的充电电压必须严格限制。充电速率通常不超过1C，最低放电电压为2.7～3.0V，如再继续放电则会损坏电池。锂离子电池以恒流转恒压方式进行充电。采用1C电流充电至4.1V时，充电器应立即转入恒压充电，充电电流逐渐减小，当电池充足电后，进入涓流充电过程。为避免过充电或过放电，锂离子电池不仅在内部设有安全机构，充电器也必须采取安全保护措施，以监测锂离子电池的充放电状态。

随着新材料、新工艺的出现，更为先进耐用的可再充电电池也在不断出现。国外最新开发的固态聚合物(电解质)Li离子电池、Li金属电池，不仅解决了漏液问题，而且电池的容量更大，体积更小，更为安全可靠。它们必将成为极有潜力的新一代电池产品。

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R232-485转换电路

R232-485转换电路

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RCC变换器原理与应用

RCC(RINGING CHOKE CONVERTER)是一种非定频电源，在国内有很多场合应用。我先来其工作原理，后面的兄弟们要跟帖补充哟！
1. 开关电源的自激振荡状态
220V市电压整流滤波电路产生的300V直流电压分两路输出：一路通过开关压器T1初级绕组加到开
关管Q2的漏极（D极）；另一路通过启动电阻R1加到开关管Q2栅极（G极），使Q2导通。
开关管Q2导通后，其集成电极流在开关变压器T1初级组上产生○1正、○2负的感应电动势。由于互感，
T1正反馈绕组相应产生○3正、○4负的感应电动势。于是T1○3脚上的正脉冲电压通过C5、R8加到Q2
的G极与源极（S极）之间，使Q2漏极电流进一步增大，于是开关管Q2在正反馈雪崩过程的作用
下，迅速进入饱和状态。
开关管Q2在饱和期间，开关变压器T1次级绕组所接的整流滤波电路因感应电动势反相而截止，于是
电能便以磁能的方式存储在T1初级绕组内部。由于正反馈雪崩过程时间极短，定时电容C5来不及充
电（等效于短路）。在Q2进入饱和状态后，正反馈绕组上的感应电压对C5充电，随着C5充电的不
断进行，其两端电位差升高。于是Q2以导通回路被切断，使Q2退出饱和状态。
开关管Q2退出饱和状态后，其内阻增大，导致漏极电流进一步下降。由于电感中的电流不能突变，于是开关变压器T1各个绕组的感应电动势反相，正反馈绕组○3端负的脉冲电压与定时电容C5所充
的电压叠加后，使Q2迅速截止。
　开关管Q2在截止期间，定时电容C5放电，以便为下一个正反馈电压（
驱动电压）提供电路，保证开关管Q2能够再次进入饱和状态。同时，开关变压器T1初级绕组存储的
能量耦合到次级绕组并通过整流管整流后，向滤波电容提供能量。
　当初级绕组的能量下降到一定值时，根据电感中的电流不能突变的原理，初级绕组便产生一个反铅电动势，以抵抗电流的下降，该电流在T1初级绕组产生○1正、○2负的感应电动势。T1○3脚感生和正脉冲电压通过正反馈回路，使开关管Q2又重新导通。因此，开关电源电路便工作在自激振荡状态。
　通过以上介绍可知，在自激振荡状态，开关管的导通时间由定时电容C5充电时间决定；开关管截
止时间，由C5放电时间决定。
　在开关管Q2截止期间，开关变压器T1初级绕组存储的能量经次级绕组的耦合，二极管整流供负载

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