受惠于中国智能手机品牌的高容量eMMC/eMCP及iPhone 7备货需求,第二季整体NAND Flash供货逐渐吃紧。TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新报告显示,第二季eMMC、消费级固态硬盘与企业级固态硬盘的合约价跌幅开始收敛,渠道端wafer价格更从4月起逐月上扬,第二季NAND Flash品牌商营收逆势季成长3.4%,结束前两季度连续衰退的颓势。

DRAMeXchange研究协理杨文得表示,第三季各项终端产品进入需求旺季,除智能手机外,消费级固态硬盘也在下半年需求快速攀升,使第三季NAND Flash供货吃紧的情况更显著。DRAMeXchange预估在价格逐渐上扬的趋势下,第三季NAND Flash厂商的营收成长及营业利益率将再一步提升,第四季也可望走扬。

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三星电子

第二季三星电子NAND Flash营收季成长约10%,营业利益率也连两季成长。主要受惠于高容量企业级固态硬盘的市占率快速提升,及高容量eMMC/UFS、eMCP订单追加力道明显,位元出货量季增约15%,而平均销售单价季跌幅仅约5%。杨文得表示,从产品策略来看,三星3D-NAND Flash的固态硬盘市占率快速增加,现阶段高容量eMMC/UFS与eMCP的市占率也大幅领先竞争者。此外,三星持续扩增3D-NAND Flash的产能,因此今年的位元成长率将优于产业平均水平。

东芝电子

东芝电子整体第二半导体厂已开始量产3D-NAND Flash,预计在第四季可达每月4万片的水平,而目前主力制程维持15纳米,占比将在第三季达80%以上,此外,TLC的产品也因主力策略客户从第二季末开始加单,比重也可在第三季接近50%。

未来东芝为了分散客户过于集中的风险,将投入更多资源在开发企业级固态硬盘,及提高消费级固态硬盘占有率两个主轴,预估从第四季开始,东芝的SSD应用项目Flash消耗量占比有望接近30%。

西数

从西数2016会计年度第四季相关NAND Flash的表现来看,15纳米制程的产品依旧为营收获利主要来源。西数3D-NAND Flash 64层堆栈产品开发进度加速,在单颗芯片容量可增加至512Gb的情况下,未来开发重点将放在TLC架构上以获取更好的成本优势。

西数在本季增加约5%产能投片,今年度位元成长率约为30%。3D-NAND Flash产出比重预估在明年底可达40%。杨文得表示,西数目前为拥有完整HDD与SSD等储存产品线的领导公司。

SK海力士

第二季SK海力士NAND Flash营收较第一季劲扬37%,至8.82亿美元。受惠于中国智能手机需求畅旺,及第一季基期较低的缘故,第二季SK海力士位元出货量大幅季增52%。DRAMeXchange预估,在高容量eMMC/UFS、eMCP出货,及SSD市占率开始提升的情况下,SK海力士第三季位元出货量可望季成长15%。

在产品开发进度上,SK海力士最新制程的14纳米在第三季出货比重开始增加,3D-NAND Flash则预计在今年底将有每月2~3万片的产能。

美光

美光2016会计年度第三季(3~5月)非挥发性内存(Non-Volatile)位元出货季衰退10%,平均销售单价与位元成本则分别下滑6%与3%,总计NAND Flash营收下滑接近15%,至9.08亿美元。

美光本季度Fab10X新厂已小批量生产3D-NAND Flash,预计下个季度开始量产。TLC 3D-NAND Flash的SATA SSD已送样给各大PC-OEMs厂商测试,下一世代的3D-NAND Flash也即将推出,将可较前一代节省成本约30%,带来更出色的价格竞争力。在3D-NAND Flash比重快速攀升的带动下,DRAMeXchange预估美光2017年的NAND Flash位元成长率将高于产业平均。

英特尔

第二季英特尔NAND Flash营收仅季跌0.5%,至5.54亿美元。虽然在其他业者的强力挑战下,平均销售单价下跌超过10%,但因第二季位元出货量增长回升超过10%,营收跌幅有限。

英特尔16与20纳米制程的企业级固态硬盘产品依旧为现阶段主流产品组合,而万众期盼的3D-NAND Flash(MLC)架构的企业级固态硬盘第三季底可顺利量产,大大改善成本竞争力。此外,大连晶圆厂机台设备已移入并开始试产,第四季量产出货的时程不变。

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