Fairchild,现在是安森美半导体的一部分,21日推出了其SuperFET® III系列,用于650V N沟道MOSFET,这是该公司新一代的MOSFET,可满足最新的通信、服务器、电动车(EV)充电器和太阳能产品的更高功率密度、系统效率和优越的可靠性要求。

SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和优异热性能,是高性能应用的理想之选。一流性能之外,该系列还提供了广泛的封装选择,赋予了产品设计者更大的灵活性,特别是对于尺寸受限的设计。

Fairchild高功率工业事业部副总裁兼总经理赵进表示:「无论我们的客户身处何种行业,他们都始终追求大幅提高其每一代新产品的效率、性能和可靠性,同时努力加快新产品上市的步伐。在设计新型SuperFET III MOSFET以帮助客户实现其关键产品目标的同时,我们还确保这些器件能够降低BOM成本、减小电路板空间并简化产品设计。」

SuperFET III技术具有所有便捷驱动型超结 MOSFET的最低Rdson,因此具有一流效率。这要归功于先进的电荷平衡技术,与其前代SuperFET II产品相比,在同样的封装尺寸内,该技术将Rdson降低了44%。

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实现SuperFET III系列优异坚固性和可靠性的关键因素是其一流的体二极管以及比最接近的竞争产品高两倍的单脉冲雪崩能量(EAS)性能。

650V SuperFET III系列在关闭期间的峰值漏极-源极电压更低,改善了系统在低温运行条件下的可靠性,因为与室温下相比,-25℃结温时击穿电压自然降低了5%,而且低温下的峰值漏极-源极电压变得更高。

这些可靠性优势对于各种工业应用特别重要,例如光伏逆变器、不间断电源(UPS)和EV充电器,因为它们必须能够承受更高或者更低的环境温度。SuperFET III MOSFET系列于今日发布上市,具有多种封装和参数选择:

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