11月17日,华为海思麒麟960刚登上了央视,展示了通信(接受信息)和处理信息的两大能力。央视首次视频演示了华为在发布会上提到了14款常用应用打开速度测试,麒麟960的Mate 9在13款中击败三星Galaxy Note 7和iPhone 7 Plus。

同一天,Qualcomm Incorporated宣布,其子公司Qualcomm Technologies, Inc.(QTI)和三星电子有限公司延续双方十年之久的战略性晶圆代工合作,将采用三星10纳米FinFET制程工艺打造QualcommTechnologies最新款顶级处理器——Qualcomm®骁龙™835处理器。这是为 2017 年旗舰智能手机准备的芯片,只不过命名上与预期的 830 不同。

其实早在10月初的时候,三星就已经宣布开始量产全球第一枚 10 纳米工艺的移动处理器,如今这一消息获得了证实,确实是用于高通的下一代骁龙(Snapdragon)处理器。

高通为了发布 Snapdragon 835 处理器特别在纽约召开了小型新闻发布会,并在会上请来了三星,毕竟是最早一批采用了三星最尖端、最革命性的 10 纳米 FinFET 工艺技术的芯片,与之前 14 纳米 FinFET 工艺的芯片如 Snapdragon 820 或 821 相比,Snapdragon 835 性能和能效水平都会有显著的提升。

“骁龙 820/21 处理器已经拥有超过 200 款设计产品发布或正在开发中,骁龙 835 正是其后续产品。”高通产品管理高级副总裁 Keith Kressin 表示:“我们非常高兴继续与三星合作,共同开发引领移动行业的产品。全新 10 纳米制程节点的采用,预计将使我们顶级系列的骁龙 835 处理器带来更低的功耗与更高的性能,同时也让我们能够增加诸多全新功能,从而提升未来的移动终端用户体验。”

根据高通的新闻稿,在三星新10纳米FinFET工艺的帮助下,与其上一代14纳米FinFET工艺相比,新的骁龙芯片尺寸在减少了30%基础上,还能实现27%的性能提升或高达40%的功耗降低。这就意味着,全新的Snapdragon 835处理器的尺寸比之前更小,在顶图的实际展示中就能明显看出。

高通认为,更小的芯片能够让OEM厂商能够在即将发布的产品中获得更多可用空间,以支持更大的电池或更轻薄的设计。而制程工艺的提升与更先进的芯片设计相结合,预计将会显著提升电池续航。

三星对自家的10纳米工艺赞赏不已,三星执行副总裁及晶圆代工业务主管 Jong Shik Yoon 表示:“我们很高兴有机会与高通进行密切合作,采用我们的 10 纳米 FinFET工艺生产骁龙 835。作为我们晶圆代工业务的一项重要里程碑,此次合作显示了对于三星领先制程工艺的信心。”

目前基本已经确定三星将会在2017年2月份的MWC上发布这款旗舰产品——GalaxyS8,从时间上看,也符合骁龙835正式商用的日期。对于最近爆炸事件销量受到严重影响的三星而言,S8无疑是决定命运的一款手机,至少在盈利方面可谓十分积极的一面。

最后,高通证实,目前 Snapdragon 835 处理器已经开始量产,2017 年上半年搭载该处理器的中端产品即可出货。至于 Snapdragon 835 芯片的更多细节,高通表示未来几周时间里会正式公布。

高通这次没有披露具体架构,如果和文中一样,使用10nm的工艺较三星的14nm工艺,可以在减少高达30%的芯片尺寸的基础上,同时实现性能提升27%或高达40%的功耗降低。那么使用和三星14nm相当的台积电 16nmFFplus工艺的Kirin 960在面世才一个多月,就已经被高通反超了。

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