三星又摊上事儿了!近日,南韩科学技术院(KAIST)专利管理子公司KAIST IP上月底向德州联邦地方法院提起专利侵权诉讼,控告三星电子、高通和格罗方德三家半导体擅自盗用其所拥的鳍式场效电晶体(FinFET)技术,要求支付专利费。

据了解,KAIST表示,三星是在邀请FinFET技术开发者、首尔大学教授李钟浩(Lee Jong-ho)向公司工程师展示FinFET技术原理时盗取了这项技术。李钟浩是KAIST合伙人之一。“三星在分文未花的情况下盗取了李钟浩的发明,从而削减了开发时间和成本。随后,三星在没有取得授权或支付适当赔偿金的情况下继续使用李钟浩的发明,”KAIST称。

KAIST表示,英特尔公司2011年就在产品中使用了FinFET技术,并意识到他们才是FinFET技术的真正开发者,于2012年通过签订合同支付费用的方式正式获得了特许使用权。但是三星并未这么做。KAIST还认为台积电也侵犯了FinFET技术专利,下波不排除瞄准台积电和苹果。

三大半导体拒付专利费,三星、台积电发言回应

鳍式场效电晶体是积体电路进入三度空间(3D)的重要技术突破,并让摩尔定律得以延伸。主要半导体厂包括台积电、三星、英特尔、格罗方德及联电等都跨入这项领域。

作为全球半导体巨头之一,三星在2016年TOP20半导体公司中营收排名第二,仅次于Intel,领先于TSMC台积电。在FinFET代工上,三星也比TSMC公司抢先量产14nm FinFET工艺,不仅为高通代工骁龙820/821处理器,还把14nm工艺工艺授权给了格罗方德。

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据了解,KAIST IP认为三星、格罗方德、台积电都使用FinFET技术生产手机晶片,却不支付使用费,且KAIST IP已和三星就支付使用费一事进行相当长时间协商,但三星都拒绝,最终协商破裂;高通和格罗方德也都不予理会。

三星方面人士称,“案件正在诉讼中,因此不便发表意见。”

台积电发言体系则于12月1日表示,台积电尊重智慧财产权,也绝对捍卫智慧财产权,因对方尚未提告,且被控告的三家半导体公司已进入司法程序,台积电不便做任何评论。

台积电内部认为,三大半导体都拒绝支付专利费用给KAIST,显见三家公司都具备自主研发的FinFET技术。

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此外,值得一提的是,早前TSMC指责三星挖走了TSMC前研发部门高管Liang Mong-song,后者带着技术资料跳槽,他们认为三星在14nm FinFET工艺上进展迅速就是靠着TSMC的技术,不过TSMC跟三星之间只是打了嘴仗,TSMC并没有起诉三星。这次KAIST不同了,直接向法院起诉了,显然是有备而来。

韩国科学与技术学院凭什么控诉三星、高通和格罗方德?

虽然普通人没听过KAIST(韩国科学与技术学院)的名头,不过他们去年是非美国院校在美国申请专利第二多的高校,申请了105项专利,排名第一的则是中国清华大学,申请了185项专利,因此KAIST在科研实力上还是很有底气的,他们这次通过管理专利的子公司KAIST IP在美国德州联邦法院提起了法律诉讼,指控三星、GF及高通侵犯了他们编号为6885055的美国专利——一种双栅极FinFET设备及其制造方法。

根据KAIST所述,2001年还在韩国圆光大学任职的教授Lee Jong-ho提出了这种技术,三星当时对FinFET工艺并没有任何兴趣。不过在Intel率先推出类似FinFET工艺的3D晶体管技术之后,三星邀请了Lee教授给自家工程师演讲,获得了这种专利技术。

KASIT IP指出,三星盗用Lee教授的技术可以节省大量开发时间和成本,但却没有支付任何专利费。他们指责三星还在持续侵犯该技术,丝毫不考虑Lee教授的权益或者适当的补偿。

由于三星的14nm FinFET工艺不仅自己用,还授权给了GlobalFoundries公司,并为高通公司代工处理器,因此后面两家也一起被告上了法庭。

对于这些指控,三星公司表示正在调查指控情况,他们强调从2000年代初期就开始研发3D半导体技术,拥有FinFET相关专利。

另外,FinFET技术的发明人是胡正明教授,不知道他申请了多少专利。若KASIT IP死咬不放,高通骁龙835与苹果iphone 8处理器量产是否将受影响?

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