台湾科技部长杨弘敦12月6日表示,台积电拟投资5,000亿元(新台币)在3nm最新制程。

其实早在9月29日,台积电共同CEO刘德音就透露过3nm制程的计划进度,他表示在先进制程的发展进度上,除10纳米制程将在2017年第1季量产之外,7纳米制程的投产进度也在规划当中。另外,除5纳米制程目前正积极规划之外,更先进的3纳米制程也已组织了300到400人的研发团队。

当下半导体先进制程竞争激烈,台积电不仅面临着韩国三星电子抢单的压力,其大客户之一英特尔也对晶圆代工市场抱持兴趣。此前三星抢先秀出其10nm工艺,已让台积电察觉到了危机。因此,台积电要在晶圆代工市场维持龙头大厂地位,除了要拥有庞大的产能来满足不同客户需求外,还必须在先进制程的推进上领先竞争同业。

据了解,台积电将10纳米及7纳米视为同一制程世代,有9成以上的设备可以共通互用,所以,Fab 15的第5期至第7期等3座晶圆厂,都可支援10纳米及7纳米制程。台积电现已替联发科、苹果、海思等大客户代工10纳米手机晶片或应用处理器;至于7纳米的量产时间点将落在2017年底、2018年初,包括可程式逻辑闸阵列(FPGA)大厂赛灵思(Xilinx)、绘图晶片大厂辉达(NVIDIA)等,已决定采用台积电7纳米生产新一代晶片。

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台积电预期7纳米量产的2年后,也就是2020年就可顺利进入5纳米世代,并已开始进行5纳米制程的研发。除了在材料上可能有所改变,FinFET结构也可能变更,5纳米将是台积电首度将极紫外光(EUV)微影技术导入量产的主要制程节点。因此,台积电将在南科园区Fab 14第8期至第10期,规划建立5纳米制程庞大产能,全部完工后月产能可望上看10万片规模。

在5纳米之后的3纳米,若依摩尔定律进行,将在2022年后进入量产阶段,而台积电将在南科持续扩建Fab 15新厂第11期及第12期工程,业界认为,台积电3纳米应该会以EUV微影技术为主力的先进制程节点,不仅成本可望大幅降低,还能提供更好的功耗。

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