过去一年,华虹宏力三座晶圆厂的产出、销售收入、净利润,均创历史新高,月总产能达15.5万片,销售收入达到了7.21亿美元,比2015年增长了11%;净利润为1.29亿美元,比2015年增长了14.5%;保持了连续24个季度盈利。

该公司在金融IC卡、微控制器(MCU)、分立器件、电源/模拟、以及RF/MEMS等领域重点突进。其中,在金融IC卡芯片业务上的成绩尤为亮眼,金融IC卡芯片出货量同比增长超过一倍。

EDN长期关注着国内代工厂动态,近日,在CITE华虹宏力的展台上采访了华虹宏力销售与客户支持副总裁陈卫后,发现了华虹宏力的几大变化。

变化一:金融卡工艺由0.13微米跨越到90纳米

目前,以智能卡和MCU应用为主的嵌入式非易失性存储器工艺平台占华虹宏力约40%的销售额。

“过去一年,我们在金融IC卡芯片出货量同比增长超过一倍。”华虹宏力销售与客户支持副总裁陈卫表示,“并且,通过在eNVM工艺上的技术研发,我们从0.13微米、0.11微米一路技术升级创新,推出90纳米eNVM工艺。随着我们90纳米嵌入式NVM技术的成功开发,我们可提供具竞争力的存储尺寸及卓越的可靠性能,越来越多的智能卡产品于2017年将持续导入至90纳米,这将进一步增强我们在智能卡市场的实力。”

变化二:大陆唯一拥有IGBT全套背面加工工艺的晶圆代工厂

IGBT是能源变换和传输的最核心器件,被广泛应用在电动汽车、新能源装备、智能电网、轨道交通和航空航天等领域。受益于新能源电动汽车、智能电网、轨道交通的快速发展,未来IGBT市场将迎来爆发。

目前华虹宏力是大陆唯一拥有全套IGBT背面制程技术的晶圆代工厂,可提供从低电压至高电压应用的完整解决方案。

IGBT难就难在背面工艺,产品流程中有一些特殊工序,需要将晶圆减薄后再进行离子注入和激光淬火。”陈总指出,“我们是大陆较早采用TAIKO晶圆减薄设备的代工厂,很好地解决了薄片在背面工艺中的搬送问题。”

目前,华虹宏力600V-1200V场截止型 IGBT已经量产,并已延伸到1700V。公司也正在加速研发超高压IGBT技术,以用于高端工业及能源。

变化三:以高技术、高成长、高利润为企业发展定位

多年来,华虹宏力始终是智能卡IC代工领域的技术领导者。目前华虹宏力90纳米嵌入式闪存工艺平台已成功实现量产,可为智能卡、安全芯片产品及MCU提供高性价比的技术解决方案。

为响应物联网、云计算、大数据、智慧城市及虚拟现实(VR)等新兴应用不断增长的市场需求,华虹宏力继续在MCU平台上进行创新,旨在为客户提供更低功耗、更高性能、安全可靠及高性价比的领先解决方案。同时,华虹宏力可将自身领先的嵌入式存储技术与CMOS射频集成及/或高压技术结合,以满足客户的多元化要求。

前不久,华虹宏力功率MOSFET累计出货量突破500万片,深沟槽超级结(Deep Trench Super Junction, DT-SJ)累计超过20万片晶圆。

第三代DT-SJ凭借导通电阻小、尺寸小、从平面栅结构到沟槽栅结构的转变等优势,越来越受欢迎,可广泛应用于热门的大功率快充电源、LED照明电源,以及传统的PC/服务器电源。

“未来我们会继续优化产品组合结构,将一些高增长、高毛利的产品迁移至更先进的工艺技术节点,并进一步提高产能利用率。重点的终端市场应用包括智能卡、微控制器、汽车、智能电网、LED照明、可穿戴式电子设备及功率分立器件等领域。展望未来,华虹宏力将致力于进一步减小存储单元及IP模块尺寸,优化我们具有优势的差异化技术,为不同客户提供高效及高性价比的增值解决方案。”陈总指出。

010ednc201704215G 华虹宏力销售与客户支持副总裁陈卫

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