今天三星电子宣布,目前已经开始批量生产业内首款512GB嵌入式通用闪存(eUFS),不仅可以用于下一代移动产品,同时还可能用在未来的SSD产品上。据悉,512GB eUFS采用了三个最新的64层512千兆(Gb)V-NAND芯片和一个控制器芯片。

根据三星介绍,他们推出了一套新的独家技术,能够最大限度的发挥512GB eUFS的性能和能源效率。同时控制器采用64层512Gb V-NAND先进的电路设计,再加上新的电源管理技术,可以让512GB eUFS的能源消耗降到最低。另外,512GB eUFS控制器芯片加速了将逻辑块地址转换为物理块地址的映射过程。

读取和写入方面三星512GB eUFS也非常强大,顺序读写速度分别达到860MB/s和255MB/s,10多秒便能完成对一个10G文件的转移,相比传统的micro SD卡速度提高了8倍。此外三星512GB eUFS的随机访问性能也很强大,可以读取42,000 IOPS并写入40,000 IOPS,远远超过传统micro SD卡的100 IOPS,这样一来,用户在移动端的多媒体体验将得到极大的提升。不过对于传统的micro SD卡来说,三星的这次“举动”无疑把这个传统的手机储存卡给逼到了绝路,未来很可能在手机上就看不到micro SD卡和micro SD扩展槽了。

据消息称,三星会在512GB eUFS稳定批量生产的情况下,逐步的加大对64层512Gb V-NAND芯片的产量,同时还将扩大对256Gb V-NAND芯片的产量,以满足高级嵌入式移动存储以及高密度、高性能的高级固态硬盘和可移动存储卡的需求。看来之前传出三星要加大内存的产量不假,不仅依靠产品,同时依靠技术来保持自己行业领先的地位。

(来源:威锋网)

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