向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了
广告

中国内存产业真的能实现自给自足吗?

时间:2019-10-24 作者:Gary Hilson 阅读:
中国一直希望本土内存产业能走进主流市场。为此,中国必须采取什么行动?中国的积极投入将会对全球内存市场带来什么影响?

中国想要跻身全球内存市场主流已经不是什么秘密了。但是,为了实现这一愿景,中国必须采取什么举措?中国的积极投入又将如何影响整个内存市场?2Vlednc

市场研究公司Objective Analysis最近发布的一项调查报告——《中国的内存野心》(China's Memory Ambitions),应该可以回答上述的这些问题。根据Objective Analysis首席分析师Jim Handy表示,这是该公司连续第二年发布有关中国内存市场成长策略的调查报告,但早在2015年,中国就已经开始在国内大声疾呼要自主生产更多半导体供本土使用了。2Vlednc

Handy说:「以往中国试图进入半导体领域,主要原因在于他们想与其他国家竞争。而现在,中国想要进军内存市场的理由则是要达到自给自足。」2Vlednc

那么为什么是这个时间点呢?Handy说,由于美国对中国产品加征关税,这让中国产生了「危机意识」,从日前对于中国手机制造商中兴通讯(ZTE)实施的「封杀」制裁就可以了解这一点。中兴通讯被查获违禁向伊朗和北韩销售手机零件——这两个国家都被美国财政部海外资产控制办公室(OFAC)列入制裁名单——因而遭到美国政府的制裁,禁止美国企业向中兴通讯销售零组件和软件。2Vlednc

「但这也为中兴通讯带来了极大的推动力,促使其尽可能地以各种方式独立于美国。」他说,毕竟如果他们一直采用中国制造的芯片,那么美国将必须寻求其他手段来遏止中兴通讯为受制裁国家的客户提供服务。2Vlednc

但是,Handy在报告中指出,中国政府并无意于供应内存芯片至其他地区,而是着眼于减少其1,170亿美元的对外芯片采购依赖。该报告并进一步指出,中国推动本土新芯片的动机合理并经过深思熟虑,而且将会对于全球半导体市场带来「深远的影响」。2Vlednc

011ednc20191024 2Vlednc

Objective Analysis的调查报告将中国与亚太地区分别统计,并推断可能的中国半导体销售数字(来源:Objective Analysis)2Vlednc

除了自给自足,中国还希望抓住在这一价值链中尚未在中国产生的利润,这在中国的《中国制造2025》(Made In China 2025)计划中有明确的说明。 2015年,在中国消费的芯片中只有不到20%是中国本土生产的。因此,中国更积极的目标是在2020年以前使这一数字提升到40%,并在2025年达到70%。同时,过去40年来,当全球所有地区的销售数字都在减少,只有亚太地区的销售明显成长甚至占到全球半导体销售额的一半以上,其中,中国在亚太地区所占的比例也越来越大。2Vlednc

Handy说,中国并不会出现资金短缺的情况。主要的障碍在于中国缺少这方面的经验。他说:「从制造能力的角度来看,他们的技术还不够成熟,而那又是一个他们需要挹注高度学习的领域。」尽管中国正为了迎头赶上而在大举招募人才——尤其是以高薪吸引台湾和南韩的人才,「但这些人通常以前从未在团队中一起工作过。因此,他们很难在时间内迅速达到目的。」2Vlednc

中国加速投入之际,正值内存市场价格的低点——这可「归功」于DRAM与闪存(Flash)供给过剩,而且,尽管中国进军内存市场也不至于造成市场供过于求,不过可能会延长如今供给过剩的市况。根据Handy的查报告,供过于求的局面延续将会加速DRAM市场的进一步整并,不过,就算没有中国的加入,这种整并最终也会发生。此外,中国加入内存市场也不会导致NAND Flash市场整合。2Vlednc

其他阻力也可能妨碍中国所做的努力,尤其是在创造中国自主开发的技术和专利差异上的努力。Handy说:「开发中国家通常进入制造业领域,而且只在成本方面竞争,他们往往认为IP和专利费用是影响其成为最低成本公司的一大负担。」他说,这意味着试图规避专利费用的支付,而且这些经济体也通常无法顺利推展专利法规。「他们很可能因此学到惨痛的经验教训。」2Vlednc

Objective Analysis这份长达120页的调报告深入探讨影响中国内存计划的各种可能因素——包括比较中国在其他产业的投资,以及其他国家(如韩国和日本)如何开始进入市场的途径。2Vlednc

 (原文发表于ASPENCORE旗下EDN姐妹媒体EETimes,参考链接:Can China Become Memory Self-Sufficient?,编译:Susan Hong)2Vlednc

 2Vlednc

本文为EDN电子技术设计 原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
Gary Hilson
EE Times特约编辑。Gary Hilson是一位自由撰稿人和编辑,曾为北美地区的印刷和电子出版物撰写过大量稿件。 他感兴趣的领域包括软件、企业级和网络技术、基础研究和教育市场,以及可持续交通系统和社会新闻。 他的文章发表于Network Computing,InformationWeek,Computing Canada,Computer Dealer News,Toronto Business Times,Strategy Magazine和Ottawa Citizen。
  • 微信扫一扫
    一键转发
  • 最前沿的电子设计资讯
    请关注“电子技术设计微信公众号”
您可能感兴趣的文章
  • 漏电流和寄生电容引起的DRAM故障识别 从20nm技术节点开始,漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。
  • 互联环境中的安全存储器 对于所有全新开发的物联网设备来说,采取应对措施防止非易失性存储器的非授权修改,已成为一项基本的设计要求。
  • 更智能的存储如何提升自动驾驶汽车的可靠性 自动驾驶汽车的问世将极大地改变我们的出行习惯,并在交通运输行业掀起一场迅猛的变革。汽车行业的数字化转型将带来很多社会效益,例如减少事故、降低碳排放、改善交通流量、降低汽车拥有成本、降低保险费用以及提高燃油效率和出行能力。
  • Arm和RISC-V当道,自主研发KungFu新架构32位MCU意义何在 在Elexcon电子展上,EDN记者受邀采访了四家公司,其中有三家都是我国本土企业,分别涉及MCU与NOR Flash研发与制造等领域。在我国大力发展半导体产业的背景下,这些本土厂商都取得了怎样的创新与成就?
  • 使用有安全保障的闪存存储构建安全的汽车系统 在现代汽车嵌入式系统中,高度安全的数据存储是必不可少的,尤其是在面对日益高明的网络攻击时。本文将介绍设计师正确使用闪存的步骤。
  • 软件代理接口实现灵活的内存配置 软件代理内存接口(SPMI) DRAM芯片包含控制逻辑但没有自动更新与延迟锁定回路(DLL)的硬件架构,有助于降低单一芯片的成本。此外,SPMI的软件程序还可以使用低频率定时器和温度传感器来执行自动更新...
相关推荐
    广告
    近期热点
    广告
    广告
    广告
    可能感兴趣的话题
    广告