广告

网传中芯国际今年出产7nm? 误解!

2020-03-13 赵娟 阅读:
网传中芯国际今年出产7nm? 误解!
就部分网传中芯国际今年出产7nm的报道,《电子工程专辑》致电专业人士,得知这是一个误解……

中芯国际联席CEO梁孟松博士在中芯国际2月份的财报会议上首次公开了N+1、N+2代工艺的情况。TJcednc

因此,有外媒报道,称中芯国际或在今年生产7nm的芯片,中国芯片制造技术要追上来了。TJcednc

对此,我们致电专业人士,得知这是一个误解,我们还进一步了解了N+1工艺节点,该专业人士解释:TJcednc

【至于N + 1,NTO(New Tape-out)是去年第四季度。目前正处于客户产品验证阶段,预计第四季度会产生有限产量。TJcednc

关于N + 1,如果比较14nm和N+1,N+1性能提高了20%,功耗降低了57%,逻辑面积降低了63%,SOC面积降低了55%。因此与市场上的7nm相比,实际上在功率和稳定性方面非常相似,唯一的区别是性能,N + 1的性能提高了约20%,但就市场基准而言,大概是35%。这是唯一的差距。TJcednc

因此,就功率和稳定性而言,可将其称为7nm,而在性能方面确实要比7nm差。N + 1的目标是低成本的应用,可以将成本相对7nm减少10%左右。因此,这是一个非常特殊的应用。】TJcednc

根据以上说明,“N+1”是中芯国际的官方代号,中芯国际并没有说它是7nm节点。部分网传可以是曲解了中芯国际Co-CEO梁孟松博士在最近的财政年度报告会议的内容。TJcednc

也有专业人士分析,从参数上来看,这个n+1实际上就是台积电和三星的10nm节点,因为它只提升了20%的性能,远低于台积电计划的30%和实际的35%——业界现在以35%为市场基准。这么低的性能提升显然不能被称为7nm,它更像三星的第二代10nm和第三代10nm(就是8nm)。TJcednc

综上,今年第四季度量产的应该是14nm的优化版本12nm,在进入7nm之前,随着14nm华为的订单的导入,期待中芯国际能拿到更多的14/12nm订单,以便为7nm的研发积蓄力量。TJcednc

EUV没搞定,7nm怎么办?

据《电子工程专辑》了解,针对中芯国际的工艺,EUV对于目前N+1阶段是不必要的,当然如果未来能从ASML得到EUV,可能对N+2有用。TJcednc

N+2与7nm的稳定性接近,但性能还是差一些。TJcednc

前段时间中芯国际四季度财报中,粱孟松博士也明确说中芯国际可以不用EUV的光刻机实现7nm工艺(当然后面5nm/ 3nm还是要用的)。TJcednc

从TSMC的历史经验来看,第一代7nm(低功耗的N7)没用EUV,后面一些衍生版本才用到——而且用的不多,据称大几十层光罩中,只有屈指可数的几层用了EUV。TJcednc

当然,中芯国际如果今年能拿到ASML的光刻机的话,下一代节点的演进肯定会加速。TJcednc

(本文发表于ASPENCORE旗下EDN姐妹媒体电子工程专辑,责编:Demi Xia)TJcednc

本文为EDN电子技术设计 原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
赵娟
ASPENCORE中国区总分析师
  • 微信扫一扫
    一键转发
  • 最前沿的电子设计资讯
    请关注“电子技术设计微信公众号”
  • 一种深紫外光光阻精准分析技术:低温真空原子层沉积技术 原子层沉积技术(Atomic layer deposition, ALD)近年在集成电路制程设备产业中受到相当大的瞩目,对比于其他在线镀膜系统,原子层沉积技术具有更优越的特点,如绝佳的镀膜批覆性以及精准的镀膜厚度控制。
  • 碳化硅功率模块及电控的设计、测试与系统评估 臻驱科技(上海)有限公司(以下简称“臻驱科技”)是一家以研发、生产和销售新能源车动力总成及其功率半导体模块为核心业务的高科技公司。2019年底,臻驱科技与日本罗姆半导体公司成立了联合实验室,并签订战略合作协议,合作内容包含了基于某些客户的需求,进行基于罗姆碳化硅芯片的功率半导体模块,及对应电机控制器的开发。本文即介绍臻驱对碳化硅功率模块的开发、测试及系统评估。
  • 详谈三星5nm工艺,Exynos 1080芯片,和Cortex-A78 三星电子系统LSI昨天在上海举办了Exynos 1080芯片的发布会,电子工程专辑已经第一时间发布了相关的快讯。这是三星电子系统LSI首次在中国内地召开芯片产品的首发会议。这个动作应该是在很多人的意料之中的:本月早前, BusinessKorea就报道System LSI“计划在2021年向中国智能手机制造商提供Exynos芯片”,而且除了常规合作伙伴vivo之外,还包含OPPO和小米等。
  • 智能功率模块助力业界加速迈向基于碳化硅(SiC)的电动汽 当前,新型快速开关的碳化硅(SiC)功率晶体管主要以分立器件或裸芯片的形式被广泛供应,SiC器件的一系列特性,如高阻断电压、低导通电阻、高开关速度和耐高温性能,使系统工程师能够在电机驱动控制器和电池充电器的尺寸、重量控制和效率提升等方面取得显著进展,同时推动SiC器件的价格持续下降。然而,在大功率应用中采用SiC还存在一些重要的制约因素,包括经过良好优化的功率模块的可获得性,还有设计高可靠门级驱动的学习曲线。智能功率模块(IPM)通过提供高度集成、即插即用的解决方案,可以加速产品上市并节省工程资源,从而能够有效地应对上述两项挑战。
  • 美国大学教授建议:成为优秀工程师需要具备哪些知识?(非广 我觉得在这个产业表现优异的人,最终都会对各种知识有广泛的了解。所以我都告诉我的学生要选修跨领域的课程,不只是自己的研究领域。例如从事工艺技术的人会需要懂物理学还有化学;而设计组件的人会需要了解材料,如果不懂就会是个问题。我认为了解基础化学原理会有帮助,因为当我们要改变典范(paradigm),就会关注新的材料。类似的......
  • Silicon Labs扩展隔离栅极驱动器将延迟减半,同时显著提 -新型隔离栅极驱动器将延迟减半,同时显著提高瞬态抗扰性-
广告
热门推荐
广告
广告
EE直播间
在线研讨会
广告
广告
面包芯语
广告
向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了