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GaN晶体管
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GaN晶体管
为增强型GaN功率晶体管匹配栅极驱动器
氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件,能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固,因此需谨慎应用,集成正确的栅极驱动对于实现最佳性能和可靠性至关重要。本文着眼于这些问题,给出一个驱动器方案,解决设计过程的风险。
安森美半导体策略营销总监Yong Ang
2019-11-06
GaN晶体管
电源管理
功率器件
GaN晶体管
GaN:适合5G应用的高频衬底材料(9)
通信基础设施的趋势是具有极高的数据速率和尽可能接近零的延迟,5G协议尤其需要一种衬底材料,能够在高频下进行工作,从而确保实现这样的要求。
Busy Blogger
2019-01-10
GaN晶体管
EDN原创
通信
GaN晶体管
GaN:适合5G应用的高频衬底材料(3)
集成电路的另一种新兴衬底材料SiC也是“上升之星”,而将GaN与SiC进行对比,前者的优势显而易见。
Busy Blogger
2018-11-21
GaN晶体管
产业前沿
EDN原创
GaN晶体管
GaN:适合5G应用的高频衬底材料(2)
GaN材料是一种较新的衬底,非常适合高性能的电子应用,特别是在高频方面,比如5G应用。由于这种材料具有优异的性能,因此用GaN器件来设计电子电路会非常有吸引力:利用GaN作为高频功率放大器的衬底,可以为电源管理带来更高的效率并实现更宽的宽带。
Busy Blogger
2018-11-20
GaN晶体管
产业前沿
EDN原创
GaN晶体管
GaN:适合5G应用的高频衬底材料(1)
GaN(氮化镓)是一种较新的衬底材料,非常适合高性能的电子应用,特别是在高频方面,比如5G应用。本系列文章将分成多个部分,深入探讨这项技术的优势及其研究成果和应用进展。
Busy Blogger
2018-11-19
GaN晶体管
产业前沿
EDN原创
GaN晶体管
8位专家11句话,带你了解“宽禁带半导体”
第三代宽禁带半导体材料被广泛应用在各个领域,包括电力电子,新能源汽车,光伏,机车牵引,以及微波通讯器件等,由于它突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈,被业界一直看好……
赵娟
2018-09-28
GaN晶体管
产业前沿
EDN原创
GaN晶体管
宜普电源推出40 V氮化镓功率晶体管,比等效MOSFET小型化8倍
宜普公司为功率系统设计师提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 mΩ氮化镓功率晶体管(EPC2049),应用于负载点(POL)转换器、激光雷达(LiDAR)及具低电感的马达驱动器。
2017-12-20
GaN晶体管
新品
宜普
GaN晶体管
宜普电源推出比等效MOSFET小型化12倍的GaN晶体管
200 V、25 mΩ氮化镓功率晶体管(EPC2046)比等效MOSFET小型化12倍,可应用于无线充电、多级AC/DC电源供电、机械人应用及太阳能微型逆变器。
2017-06-07
GaN晶体管
新品
开发板
GaN晶体管
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