通信基础设施的趋势是具有极高的数据速率和尽可能接近零的延迟，5G协议尤其需要一种衬底材料，能够在高频下进行工作，从而确保实现这样的要求。

集成电路的另一种新兴衬底材料SiC也是“上升之星”，而将GaN与SiC进行对比，前者的优势显而易见。

GaN材料是一种较新的衬底，非常适合高性能的电子应用，特别是在高频方面，比如5G应用。由于这种材料具有优异的性能，因此用GaN器件来设计电子电路会非常有吸引力：利用GaN作为高频功率放大器的衬底，可以为电源管理带来更高的效率并实现更宽的宽带。

GaN（氮化镓）是一种较新的衬底材料，非常适合高性能的电子应用，特别是在高频方面，比如5G应用。本系列文章将分成多个部分，深入探讨这项技术的优势及其研究成果和应用进展。

第三代宽禁带半导体材料被广泛应用在各个领域，包括电力电子，新能源汽车，光伏，机车牵引，以及微波通讯器件等，由于它突破第一、二代半导体材料的发展瓶颈，被业界一直看好……

宜普公司为功率系统设计师提供比等效MOSFET小型化8倍的40 V、5 mΩ氮化镓功率晶体管（EPC2049），应用于负载点（POL）转换器、激光雷达（LiDAR）及具低电感的马达驱动器。

200 V、25 mΩ氮化镓功率晶体管(EPC2046)比等效MOSFET小型化12倍,可应用于无线充电、多级AC/DC电源供电、机械人应用及太阳能微型逆变器。