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详细介绍
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TA的文章
欧姆定律我是很熟,只是没想到电流不按套路出牌!
在电源输出端,也就是VRM端,主要是给负载,也就是Sink端提供电流,并保证原始的输出电压。但是在实际链路中免不了会产生直流电阻R,因此最终需要电流I的Sink端的电压就会比电源输出端的U减少I*R的值···
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2024-10-30
明明我说的是25G信号,你却让我看12.5G的损耗?
一些找我们仿真的客户也想了解下这种信号在PCB走线长度方面能允许的损耗值,由于高速先生比较熟悉信号协议,就三下五除二脱口而出:12.5G是7.3dB。客户听完都会有这样的反应:等等,我说的是25G的信号哦,你告诉我12.5G干嘛?
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2024-10-24
在钻咀和成品孔径之间,你会优先满足哪一项
工厂的钻咀规格,通常是按照0.05mm去递增,比如说0.50mm的钻咀,除非特殊定制,正常下一个钻咀的规格是0.55mm,而客户的回复,却别出心裁,好多非标的成品尺寸,好多非标的钻咀尺寸,还有那些特殊的孔径公差要求···
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2024-09-24
背钻设计时要优先保证哪一项,STUB长度真的是越短越好吗
PCB制造过程中镀通孔其实可当作是线路来看,某些镀通孔端部的无连接,这将导致信号的折回共振也会减轻信号,且可能会造成信号传输的反射、散射、延迟等,给信号带来“失真”的问题。背钻的作用是钻掉没有起到任何的连接或者传输作用的通孔段,避免造成信号传输的反射、散射、延迟等,给信号带来“失真”。
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2024-09-09
“转移阻抗”?求你们不要再玩新梗了
对于线性系统,转移阻抗是一个常数;而对于非线性系统,转移阻抗可能是一个函数,表示输入信号与输出信号之间的关系···
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2024-09-02
不按INTEL的“3W-2S”规则设计,出问题的概率有多大?
不是“2W-2S”的阻抗波动长度越短吗,那为什么不应该是它的效果最好,为什么intel要推“3W-2S”呢?
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2024-08-26
原来你也不知道啥是去耦电容的“滤波半径”啊!
稍微具有SI,PI知识的工程师会说这样有利于改善电源PDN系统的性能,理论上是电容都应该离芯片引脚越近放置越好,尤其是小电容,比大电容更应该靠近芯片端。为什么呢?
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2024-08-20
工程师总觉得这样操作是节约成本,其实是浪费
关于过孔做树脂塞孔电镀填平的设计,客户一直认为盘中孔做POFV,其它的地方做绿油塞孔,你认为这个要求合理吗,工程师总觉得这样操作是节约成本,其实是浪费,打开今天的案例,了解案例背后的秘密。
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2024-08-12
DDR4的单、双DIE兼容,不做仿真行不行?
地址信号一驱五的DDR4拓扑很常见,可是,一驱五拓扑还要求单DIE、双DIE颗粒兼容的你有见过吗?
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2024-08-06
我的EMMC启动不正常,问题到底在哪里?
最小系统模块(包含eMMC)的原理是直接复制开发板的,所有的器件贴装也和开发板一样,同样的代码在之前开发板上没有问题,而现在新设计的板子有问题,那肯定是PCB Layout出了问题···
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2024-07-30
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