国产电源芯片之路，任重而道远，其中大电流多相电源芯片，是电源芯片种类中最难攻克的难关。在通讯基站，数据中心，人工智能这些新基建中，核心运算处理器的速度越来越快，运算量越来越多，产生的功耗也越来越大，如何为处理器提供高品质的稳定电源输出，功能丰富的数字调节和监测功能，如何提升效率一直是多相电源芯片的关键技术。

有块数字电路板需要对其轨电压去耦进行“最坏情况”分析，但挑战在于要确定最坏情况下的电流脉冲情况。当前的任务是要表明，将轨电压传送到一块元器件稠密的电路板上时，其对于每安培电路板电流变化，不会经受超过40mV的瞬时漂移。

当今大多数微控制器(MCU)都采用3.3V或更低的直流电压供电。对于永久使用的情况，设计中通常包括电池和主电源两种电源，并使用线或二极管将它们连接在一起。对早期的设计(通常采用9V或更高的电池电源供电)而言，二极管正向压降(0.6V)不会有什么问题。但是在最新的电路中，即使选择肖特基二极管(0.3V)，也不推荐使用这种解决方案。