广告

【三代网红】初级高适配+次级全集成,QR-Lock技术65W快充套片

2022-10-25 阅读:
本期,芯朋微技术团队为各位fans分享65W快充方案,该优势方案由PN8213、PN8307P、AP2080三颗套片组合,搭配GaN或者SuperJunction器件,具有高环路稳定度、高功率密度、50mW低待机功耗、100V全集成同步整流等多重亮点,并从控制原理上为各位攻城狮们分享精准锁谷底QR-Lock技术与传统QR对充电器设计的影响。

►►►三颗黄金搭档h8Bednc

01  PN8213:环路稳定更佳、QR-Lock初级控制器h8Bednc

PN8213实现真正QR-Lock技术,环路高度稳定,进口替换的适配度更高,最高支持500kHz工作频率,减小变压器及输出电容体积;典型转换效率大于93%,提升充电器功率密度。h8Bednc

PN8213与海外友商相比,具备“三高一低”压倒性优势替代,外围少2-4颗(OVP复用)、1/4负载转换效率优于1%以上,启动HV耐压高出100V,VDD耐压高出30V,具有市电欠压保护、输出过压保护、原副边防直通保护、过载保护、过温保护等。h8Bednc

PN8213内置800V高压启动管和X电容放电功能,待机功耗小于50mW。h8Bednc

02  PN8307P:全集成同步整流h8Bednc

PN8307P内置100V/7mΩ智能MOSFET,自适应死区控制,更低温升,超高性价比。h8Bednc

 h8Bednc

03  AP2080:兆赫兹升压供电宽输出(可选)h8Bednc

AP2080采用1.5MHz开关频率的COT控制技术,将储能电感体积降至0805封装,任何工况下可将PN8213 供电范围控制在11-40V,提高15-20V输出电压下的转换效率。h8Bednc

 h8Bednc

►►►封装及脚位配置图h8Bednc

►►►DEMO实物图h8Bednc

►►►方案典型应用图h8Bednc

 h8Bednc

►►►变压器设计h8Bednc

初级绕组电感量 (Lp) :320±5%uH @10kHzh8Bednc

磁芯:ATQ23.7h8Bednc

 h8Bednc

►►►为什么锁谷底QR-Lock技术的工作频率更高?h8Bednc

PN8213采用精准锁谷底QR-Lock技术,工作频率可达到500kHz,显著提高充电器的功率密度。相比普通QR技术,为什么锁谷底QR的工作频率更高?其原理说明如下:h8Bednc

h8Bednc

对于市面上常见普通QR,因谷底不锁定,开关频率受Tosc影响显著,以上图参数举例如下:平均开关周期为7.95us(126kHz,第2谷底QR),振荡周期为1.5us,增加一个谷底则开关频率降低27.8kHz,减少一个谷底则开关频率增加56.7kHz。因此,为满足最高频率限制,市面上常见普通QR的平均开关频率相对不高h8Bednc

对于PN8213所采用的的精准锁谷底QR-Lock技术,在一个负载点附近开关频率仅受Ipmax影响,可近似等效为定频控制。因此,精准锁谷底QR-Lock技术相比普通QR整体工作频率更高、环路稳定性更佳h8Bednc

 

►►►平均效率h8Bednc

 

h8Bednc

 h8Bednc

 h8Bednc

 h8Bednc

 h8Bednc

 h8Bednc

 h8Bednc

►►►空载待机功耗h8Bednc