有时候，出于善意提供的解决方案也可能适得其反，尤其是在未经仔细考虑后果的情况下采用…

大多数时候，出现在教科书中的电路图和设计与我们每天工作中完成的真实电路大相径庭。电路设计并非易事，因为它需要对构成电路部分的每个元件都有充分了解，且实现“完美”设计需要大量实践。本文讲述的技巧肯定可以帮助你更好地设计电路；它们将有助于调试、模拟、注释参考等等。

由于闪存的成本取决于其裸片面积，如果可以在同样的面积上存储更多数据，闪存将更具成本效益。本文将会介绍SLC、MLC和TLC这三种NAND闪存的主要类型特性，它们的特性比较，以及NAND闪存的未来发展趋势。

在使用分流器测量电流的高频开关系统中，可能发现诸如正弦波电流纹波幅度过大、方波纹波或任何电流快速转换过冲，或高频噪声过大等问题。不修复这些动态问题，可能会影响电流测量精度并损坏数据采集系统。故障排除需要具有从直流到高频带宽的高质量钳位电流探头，使用高质量的分流器和IC可以获得更好的测量精度。

本文是本系列文章的最后一部分，将从用于自动设置的偏置伺服电路开始。对于相同的器件型号，FET夹断或阈值电压可能有很大差异。为了正确偏置它们以获得预定的漏源电阻，用户必须手动校准栅极和源极之间的偏置电压。通过匹配的双FET或四FET阵列可以很容易地偏置栅源电压。

本设计实例描述了如何实现一个四晶体管差分放大器，即“长尾四件套”。这样的设计工作得不错。载波频率范围为10kHz至40MHz，调制频率范围为10Hz至50 kHz。跨导与发射极电流的线性关系意味着幅度调制性能非常好，而且满足了必须使用多家元器件来源的管理要求。

本设计实例描述了极点和零点的直觉概念，使用运算放大器来控制它们在复平面中的位置，并使用一个单端口电路的自然响应来说明极点/零点位置的影响。单端口的自然响应由其阻抗Z(s)的根控制：极点控制开路电压响应v_n(t)，零点控制短路电流响应i_n(t)。从某种意义上说，根就是单端口的DNA。

MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

多年前，笔者曾因SUV的电池没电而被困在农场，凭借“家庭实验室”及有限的器件和工具，笔者想出了一个给汽车铅酸电池充电的简单方法。本文将使用“焊锡”这个古老的“可编程工具”来实现汽车电池充电的模拟方案，所设计的电路可用于“升级”任何老旧的充电器。

在不久前于深圳举办的ASPENCORE全球双峰会上，全球领先的高性能模拟半导体企业ADI公司展示了一款应用于交通路况监控、实时追踪目标车辆位置等工业级场景的24GHz雷达全链路解决方案。

在任何高压和电噪声系统中，静电放电（ESD）抗扰度都是电磁兼容性（EMC）的一个重要方面，是选择电流隔离器件的关键考虑因素……

如果你需要组装的电路板并非少数，只靠手工带来的成就感恐怕不够；当工作量达到某种程度，是该考虑把电路板组装任务委托给EMS厂商或是自家建置SMT组装线的时候了。但这并不代表着你只要把零件跟板子装箱打包寄到组装厂就好...

在计算机中，为了便于管理，常把一条指令的执行过程划分为若干个阶段，每一阶段完成一项工作。例如，取指令、存储器读、存储器写等，这每一项工作称为一个基本操作。

与硬件构建和评估相比，建模通常可以更快地对电路特性进行深入了解。对于磁性器件，这不仅有助于分析，还可避免大量的复杂数学计算，并缩短构建自定义组件所需的时间。

物理电容器是串联谐振电路，它具有串联谐振频率及受串联电阻影响的串联谐振“Q”值。对于电激励来说，电容器会在低于其串联谐振频率的任何频率下呈现出基本的容抗，而在高于其串联谐振频率的任何频率下呈现出基本的感抗。本文利用SPICE和一些数字，深入研究了这个问题。