前面的笔记已经分别介绍了硅光调制器的几种电学结构，包括载流子耗尽型硅基调制器，载流子积累型硅基调制器和载流子注入型硅光调制器。这篇笔记整理下硅光调制器的常见光学结构。

加州大学洛杉矶分校和伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校的研究人员已经设计并正在制作“2048-chiplet、14336-core 晶圆级处理器”的原型，该系统包括 1024 个小块的阵列，其中每个小块由两个小芯片组成，总共 2048 个小芯片和大约 15,000 mm 2的总面积。

全球晶圆龙头台积电预计将从2nm处理器节点开始采用GAA FET技术。而在市占率仍远落后于台积电的三星，尽管较台湾晶圆代工大厂领先于3nm制程导入GAA，同时也承担了巨大的技术风险...

封测制程、智慧干式泵浦监控、AI设备和劳工安全监控提高半导体制造的生产效率、品质和安全性

利用SEMulator3D虚拟工艺建模平台应对存储器制造挑战

ASML将自2023上半年起提供客户0.55数值孔径(NA)的新一代EUV机台(目前版本为0.33NA)；该公司副总裁Teun van Gogh接受《EE Times》采访时表示，这将有助于芯片制造业者在至少10年内突破2奈米节点的瓶颈。

据国内数码博主@数码闲聊站爆料称，联发科的下一代天玑旗舰芯片组将暂时命名为天玑 2000，并补充了一些关于其构成的细节。该芯片将采用台积电 4 纳米制程，采用全新的 ARMv9 架构。

由于TWS耳机的独特性，产品内部电池包括充电盒和两只耳机。目前充电盒内主要采用软包聚合物锂离子电池，极少数采用了圆柱电池；耳机内多为软包电池和钢壳纽扣电池，还有软包扣式电池和极少数的钢壳针式电池。本文就以恒泰科技为例，来详细为大家介绍一下软包扣式电池的生产流程，下面就让我们来一起看看吧~

三星表示3nm制程将推迟到2022年上半年量产。原因可能是三星担心如此早批量生产这些节点可能会导致较低的良率百分比，这将导致三星浪费无数资源向客户交付小批量晶圆，进一步加剧持续的芯片短缺。

这种方案是一种折中的技术路线，介于全分离器件方案和全部器件单片集成的方案之间。对于硅光芯片不好解决的问题，使用其他工艺平台的成熟芯片进行整合封装，而不是想办法通过硅光自己的技术途径进行突破。在现阶段，也许是一个不错的选择，是一种可以带来收益的可行路线。

总芯片面积增加了 22.8%，但不同的 IP 块有所不同。共享级缓存是最大的贡献者。

“迈铸半导体”完成千万级Pre A轮融资，本轮融资由武汉至华投资有限公司、广州润明策投资发展合伙企业、上海绿河晟阳创业投资合伙企业共同投资，用于公司下一代合金材料微铸造工艺的研发、新研发中心建设、市场推广和团队扩张等。