1948年12月4日，苏联提交了半导体电子计算机的专利申请。尽管旗开得胜，但苏联未能保持计算机技术的高速发展。问题出现在微处理器问世之后：上世纪70年代初，电子器件变得极小，已经无法手工装配。

在ICCAD 2018期间，中国半导体行业协会集成电路设计分会理事长魏少军教授的报告显示，全国共有1698家设计企业，比去年的1380家多了318家——而且这是在2016年设计企业数量大增600多加后，再次出现企业数量大增的情况。

目前各大半导体制造商宣称的线宽和早期半导体制造所使用线宽一词存在很大的差异，其实际生产芯片的典型线宽往往要宽于宣称的工艺制程不少。

MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

最近我一直在回想自己过去30年目睹电子产业的一些演进，并思考它将会带领我们走向何方…

继2018全球CEO峰会之后，意法半导体（ST）总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery在该公司举办的媒体发布会上，探讨了其面向四大终端市场——汽车，工业，个人电子产品，通信设备、计算机及外设——的市场策略。

格力曾一再强调发展芯片业务将遵循自主发展的道路，今年8月它还成立了一家名为珠海零边界集成电路的芯片企业，如今短短数月即改变策略转而入股安世，显示出它也认识到了发展空调芯片面临的困难。

伦茨（Lenze）创新的i700伺服逆变器具有紧凑且高度灵活的设计特点，可用于集中运动控制。其双轴驱动可最大限度地减少驱动器体积，而动态电机控制能力使其适用于各种应用。用于多轴应用的i700伺服逆变器可以驱动机器模块中从三相交流电机到伺服电机等所有集中控制电机。

据了解，由于我国传感器产业长期处于产业链中下游，加速度敏感器件进口率达80%以上。

我们需要测量的信号正变得越来越极端，如高电压、大电流和高开关速度等。例如，电动汽车等应用中的电源设计正从IGBT向GaN和SiC等新一代器件转变，这些新器件的开关速度要比传统器件快得多，会产生很大噪声，影响环境，因而必须予以测量和抑制。此外，带宽变大、电流变大等也意味着，如果参数超出极限，则我们需要开发新的测量仪器来与时俱进。

在芯片领域，清华大学正发挥着难以估量的重要影响力，成为充满活力的芯片“梦工厂”，主宰着一大批民族芯片的根基。

商务部工业安全署已经发布了关于这项政策制定的先期通知，列出了14个政府考虑进行管制的领域，美国这项新提案究竟涉及哪些内容？将可能对哪些领域的公司造成影响？

通往火星之路既令人兴奋又充满挑战。首先，设计人员需要学习如何处理辐射，同时确保软件与硬件执行的可靠性，才能实现长久以来在火星上探险与殖民的梦想…

2017年3月，LTC和ADI正式合并，合并后总共有4.3万个器件，其中电源超过1万个器件，ADI的电源产品得到了Linear极大的补充和加强，产生了1+1>2的效果，使ADI的电源跃居全球第二。

2018年11月8日，在ASPENCORE举办的“全球CEO峰会”上，ASPENCORE全球联席总编辑Junko Yoshida（吉田顺子）主持了本次会议的圆桌论坛，参与讨论的嘉宾有来自ADI中国区总裁范建人、上海华力微电子有限公司执行副总裁舒奇、Imagination副总裁及中国区总经理刘国军、中感微电子董事长杨晓东，以及新思科科技芯片设计事业部联席总经理Sassine Ghazi。