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X-FAB在制造工艺上的突破为电隔离解决方案增加CMOS集成选项

2023-11-06 X-FAB 阅读:
X-FAB宣布,在电隔离技术领域取得重大进展——X-FAB在2018年基于其先进工艺XA035推出针对稳健的分立电容或电感耦合器优化之后,现又在此平台上实现了将电隔离元件与有源电路的直接集成。

中国北京,2023113——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,在电隔离技术领域取得重大进展——X-FAB在2018年基于其先进工艺XA035推出针对稳健的分立电容或电感耦合器优化之后,现又在此平台上实现了将电隔离元件与有源电路的直接集成。这是X-FAB对半导体制造工艺上的又一重大突破。这一集成方法使隔离产品的设计更加灵活,从而应对可再生能源、EV动力系统、工厂自动化和工业电源领域的新兴机遇。3e4ednc

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XA035基于350纳米工艺节点,非常适合制造车用传感器和高压工业设备;XA035目前支持的高压信号隔离能力意味着即使在苛刻的环境中也能保持持续稳定的运行性能。该技术可以制造符合AEC-Q100 0级标准和工业等级的坚固元件,如数字隔离器、隔离栅极驱动器和隔离放大器IC。X-FAB提供全面的PDK,支持所有主要EDA供应商全新及改进的工艺技术。3e4ednc

“我们看到电隔离产品设计领域客户对强大代工解决方案的需求日益增长,X-FAB在分立耦合器实施方面的高可靠性隔离层也已投产数年。”X-FAB高压产品市场经理Tilman Metzger表示,“通过利用相同的工艺模块,我们现能够在同一裸片上直接集成CMOS电路,从而为此类产品的设计打造更大灵活性。我们也十分高兴看到客户的首批集成型产品即将投产。”3e4ednc

缩略语3e4ednc

CMOS 互补金属氧化物半导体3e4ednc

EDA 电子设计自动化3e4ednc

EV 电动汽车3e4ednc

IC 集成电路3e4ednc

PDK 工艺设计套件3e4ednc

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关于X-FAB:3e4ednc

X-FAB是领先的模拟/混合信号和MEMS晶圆代工集团,生产用于汽车、工业、消费、医疗和其它应用的硅晶圆。X-FAB采用尺寸范围从1.0µm至110nm的模块化CMOS和SOI工艺,及其特色SiC与微机电系统(MEMS)长寿命工艺,为全球客户打造最高的质量标准、卓越的制造工艺和创新的解决方案。X-FAB的模拟数字集成电路(混合信号IC)、传感器MEMS在德国、法国、马来西亚和美国的六家生产基地生产,并在全球拥有约4,200名员工。www.xfab.com3e4ednc

责编:Franklin
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