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创意电子发布 GLink-3D DoD 接口 IP 将采用台积电的 5 纳米和 6 纳米制程以及 3DFabric™ 先进封装技术

2021-09-01 歐洵 阅读:
先进定制化IC领导厂商创意电子 (Global Unichip Corp.) 发布 GLink-3D 晶粒堆叠 (Die-on-Die, DoD) 接口 IP 将采用台积电的 5 纳米和 6 纳米制程以及 3DFabric™ 先进封装技术,为人工智能 (AI)、高效能运算 (HPC) 和网络 (Networking) 应用打造全方位3D 解决方案。

人工智能、高效能运算和网络应用对内存需求正在快速增长,而 SRAM 与逻辑单元的面积比率也与日俱增。从 7 纳米微缩至 5 纳米和 3 纳米制程节点时,逻辑单元的密度和效能均有所提升,但是SRAM 则变化不大。将 SRAM与逻辑单元去整合化之后,就能在效率最高的制程节点上分别设计所需的 SRAM 和逻辑单元。只要使用台积电的 3DFabric 封装技术,即可在互连和 I/O 晶粒的上方或下方,堆叠多层 CPU 和 SRAM (快取、封包缓冲区) 晶粒。能够实现这种可扩充的 SRAM 和模块化运算应用,靠的就是创意电子 GLink-3D 的高带宽、低延迟、低功耗,以及 3D 堆叠晶粒之间的单点对多点接口。CPU、SRAM和 I/O (SerDes、HBM、DDR) 晶粒可分别在效率最高的制程节点中导入,只要堆叠组装不同的晶粒组合,即可满足不同市场区隔的需求。系统启动时除了会识别已堆叠组装的 SRAM 和 CPU 晶粒,同时也会分配每一晶粒 ID,定义可用的内存空间和运算资源,并启用与堆叠晶粒相连的单点对多点 GLink-3D 界面。YLbednc

台积电的 3DFabric SoIC 平台技术可进一步提升连接效率,相较于同类最佳的 2.5D 接口 GLink 2.0 (已于 2020 年 12 月流片),GLink-3D 的带宽密度提高 6 倍、延迟降低 6 倍,功耗则降低 2 倍。多个3D堆叠晶粒可以透过GLink-2.5D 互连并使用CoWoS® 和 InFO_oS 封装技术,即可与 HBM 内存组装在一起。YLbednc

创意电子总经理陈超乾博士表示,「创意电子拥有业界一流、完成硅验证的丰富 HBM2E/3 物理层、控制器及 GLink-2.5D IP 产品组合,GLink-3D 则是新加入的生力军。创意电子提供一站式服务,含括 CoWoS、InFO_oS、3DIC 专业知识、封装设计、电气和热模拟、DFT 以及生产测试,使我们的 ASIC 客户能够缩短设计周期,并快速进入量产。」YLbednc

创意电子技术长 Igor Elkanovich 表示,「3D 晶粒堆叠技术将彻底革新我们设计人工智能、高效能运算和网络处理器的方式。晶粒间的接口不必再局限于晶粒边界,而是可以恰好位于处理器需要连接至 SRAM 和其他 CPU 的位置。3DFabric 和 GLink-3D 连手为新一代的处理器奠定了基础。当每个组件都能使用效率最高的制程节点制造时,就能同时实现可弹性扩充的超强处理能力,以及大容量、高带宽且低延迟的内存。」YLbednc

GLink-3D 的主要特点:YLbednc

  • 支持台积电 5 纳米和 6 纳米制程节点的系统整合芯片 (SoIC) 堆叠
  • 单点对多点接口,可让主晶粒同时与多个堆叠晶粒相连
  • 稳健的全双工流量 (每平方毫米 9Tbps)
  • 速度:每通道 5.0 Gbps
  • 极短的端对端延迟 (<2ns) 和低功耗设计 (<0.2pJ/bit)
  • 单一电源电压 0.75V ± 10%

若要进一步了解创意电子的 HBM、GLink-2.5D/3D IP 产品组合和 InFO/CoWoS/SoIC 全方位解决方案,请联络您的创意电子销售代表,或寄送电子邮件至 guc_sales@guc-asic.comYLbednc

关于创意电子 GLOBAL UNICHIP CORP. (GUC)YLbednc

创意电子是先进客制化IC领导厂商,使用最先进的制程和封装技术,为半导体产业提供领先的 IC 设计和 SoC 制造服务。公司总部位于台湾新竹,在中国、欧洲、日本、韩国和北美均设有分支机构,并在全球各地享有盛誉。创意电子在台湾证券交易所公开交易,代号为 3443。更多相关信息请参阅 https://www.guc-asic.comYLbednc

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