要减少无线和物联网设备自我产生的EMI，关键方法之一是实现适当的PCB设计。最近我就这个主题主持了一场很长的网络研讨会，探讨了几个有关PCB设计和降低DC-DC转换器EMI的问题，我的回答如下。

整个20世纪，电能已经变得无处不在，成为了日常生活的必需品。不难想象，如今支持我们每天的电能需求的电力网络极为复杂。人们需要处理多种问题，如维护或替换老旧的系统、连接旧设施和新的绿色发电解决方案、支持和应对能源需求的波动、长距离传输能源、拥挤地区的输配电和对应标准以及保证客户的整体满意度。在过去的几十年里，电力服务中断一直是人们关注的焦点，并推动了监测、预测和预防设备问题的研究。一种被称为局部放电(PD)的物理现象已经被用于检测这些问题。本文将简要介绍局部放电的概念和优点，以及不同的捕捉技术，着重介绍超高频(UHF)系统，特别是其数据采集系统，然后介绍构建这种系统的数据转换解决方案。

对于所有便携式设备而言，功耗都是一个至关重要的因素。硬件开发人员越来越注重在增加功能、减小尺寸、降低成本的同时，实现低功耗方案。能量监测通常会提供有关能耗的信息，从而帮助开发人员进行电池管理和总体功率基准测试。

尽管GaN的成本仍然是其受到业界广泛采用的一大障碍，但GaN FET所能实现的性能，包括效率和密度的提高，最终都将对开关电源解决方案的总成本产生积极影响。本文详细研究了基于GaN的PFC整流器，并回顾了GaN无桥PFC拓扑、控制和性能。

在一些经典运算放大器电路中运用负反馈，通常可以使运放工作在线性区域内。但是，也可以将运放用作比较器，从而使其以非线性方式工作。由于其输入受到硬驱动，因此其输出电压会对电源轨产生猛烈的冲击。因此，这可能并不总是一种好的设计方法。

材料性质的研究是当代材料科学的重要一环，所谓材料的性质是指对材料功能特性和效用的定量度量和描述，即材料对电、磁、光、热、机械载荷的反应。源表SMU在当代材料科学研究中，起到举足轻重的作用，选择适合某类材料电性能测试的SMU，如何降低测试误差，测试中应当注意什么，这些问题都需要重点关注。泰克吉时利的品牌在全球许多学科工程师和科学家中享有盛誉，其高精度源表（SMU）、万用表、精密电源、微小信号测试以及数据采集产品，同泰克公司原有的产品线一同为当代材料科学研究提供多种测试方案。【当代材料电学测试课堂】系列涉及当代材料科学尖端的电运输及量子材料/超导材料测试、一维/碳纳米管材料测试、二维材料及石墨烯测试及纳米材料的应用测试。今天跟您分享第二篇，【当代材料电学测试课堂】系列之二： 纳米测试（下）。

根据最新调查结果显示，对于尚未考虑抛弃传统内燃机车辆的消费者来说，对电动汽车电池续航能力的担忧，仍是阻碍其购买电动汽车的最重要因素。为了解决这一问题，半导体技术正在不断创新，为实现更快的充电速度和更高的电动汽车续航里程铺平道路。

材料性质的研究是当代材料科学的重要一环，所谓材料的性质是指对材料功能特性和效用的定量度量和描述，即材料对电、磁、光、热、机械载荷的反应。源表SMU在当代材料科学研究中，起到举足轻重的作用，选择适合某类材料电性能测试的SMU，如何降低测试误差，测试中应当注意什么，这些问题都需要重点关注。泰克吉时利的品牌在全球许多学科工程师和科学家中享有盛誉，其高精度源表（SMU）、万用表、精密电源、微小信号测试以及数据采集产品，同泰克公司原有的产品线一同为当代材料科学研究提供多种测试方案。【当代材料电学测试课堂】系列涉及当代材料科学尖端的电运输及量子材料/超导材料测试、一维/碳纳米管材料测试、二维材料及石墨烯测试及纳米材料的应用测试。今天跟您分享第一篇，【当代材料电学测试课堂】系列之一： 纳米测试（上）。

本文所介绍的电流负载设计简单而又准确，它只需要使用一个运算放大器和一个功率MOSFET就可以构建。还可以将这个电流负载设置成恒定电阻，这在测试某些电源时就非常有用。

由于高增益峰值及其他各种原因，电流反馈（CFB）放大器可能变得不稳定、出现极端情况甚至进入振荡状态。本文介绍了如何确保放大器稳定性的设计技巧，包括须知与禁忌，无需深入研究基本数学原理即可设计出稳定的放大器电路。

以往，转换器制造商除了依靠电源模块专家的专业知识来设计滤波器，优化控制回路，然后得到结果以外，别无其他选择。现在，这个时代已经一去不复返。系统设计人员现在可以使用免费软件来快速、容易地得到结果。电源系统设计软件中嵌入的环路补偿工具已经得到发展，工程师在概念阶段可以利用它来优化电压，这样就可以方便地尝试不同的配置，然后重新运行仿真，直到获得最佳结果。那么，推动这一进步的工程原理是什么？

本文所示的电路构成一个零偏移、双极点的低通滤波器。其代数计算得到的滚降结果在Multi-Sim SPICE中基本得到复现，但由于与SPICE有关的故障而出现一个问题，它涉及到对运算放大器模型的选择。

有块数字电路板需要对其轨电压去耦进行“最坏情况”分析，但挑战在于要确定最坏情况下的电流脉冲情况。当前的任务是要表明，将轨电压传送到一块元器件稠密的电路板上时，其对于每安培电路板电流变化，不会经受超过40mV的瞬时漂移。

当今大多数微控制器(MCU)都采用3.3V或更低的直流电压供电。对于永久使用的情况，设计中通常包括电池和主电源两种电源，并使用线或二极管将它们连接在一起。对早期的设计(通常采用9V或更高的电池电源供电)而言，二极管正向压降(0.6V)不会有什么问题。但是在最新的电路中，即使选择肖特基二极管(0.3V)，也不推荐使用这种解决方案。

在实际的激光雷达系统中，传统的硅器件(例如MOSFET)无法为其激光驱动器实现提供必要的性能。为了增强控制，MOSFET的沟道必须很大，这会导致寄生电容的充电时间过长，从而导致开关频率太低而不满足应用所需。此外，散热管理要达到良好的效果，就需要使用大体积、大重量的散热器。