我一直觉得“光电倍增器”一词是错误的说法。每个入射光子都会引发一连串的事件，导致大量电子到达阳极。因此，这更像是一个电子倍增的过程...

保证覆盖率的同时优化仿真回归

近日，EDN小编从中国科学技术大学官网获悉，该校郭光灿院士团队在硅基半导体量子计算研究中取得重要进展，在硅基锗量子点中实现了自旋量子比特操控速率的电场调控，以及自旋翻转速率超过1.2 GHz的自旋量子比特超快操控，该速率是国际上半导体量子点体系中已报道的最高值。

制造商在生产高质量SiC衬底时面临着多重挑战。

近日，瑞典皇家理工学院的瓦伦堡木材科学中心(WWSC)和林雪平大学的研究团队取得了突破性的进展，首次成功地使用导电木头制造出了晶体管。这种晶体管不仅可以控制电流，而且还具有可降解、可持续、低成本等优点。相关研究成果发表在《美国国家科学院院刊》(PNAS)。

据BleepingComputer消息，近日在Arxiv.org上发表的一篇技术论文揭示了一种针对多代英特尔CPU的攻击手法——利用新的侧信道攻击，让数据通过EFLAGS寄存器泄露。该攻击是由清华大学、马里兰大学和中国教育部计算机实验室(BUPT)的研究人员发现的。

对用于高频车载充电器的混合双向PFC的分析突出了GaN和SiC等宽禁带半导体在高频工作中带来的优势。

随着多扬声器笔记本电脑越来越薄，厚度从20毫米降至10毫米，智能功放成为推动和解决这些音频工程挑战的智能设计的核心。

DC-DC转换器是电动汽车(EV)的重要组成部分，可改变电压值以运行需要低或高直流电压的不同应用。

不正确的接地会在数据记录、数据采集以及测量和控制系统中产生问题。

近日，剑桥大学生物启发机器人实验室的研究人员创造了一种新的基于水凝胶的皮肤，这种极其柔韧的皮肤使用一系列电极和一种算法重建触觉刺激，让机器人能够检测物体的触觉特性，复制人类的触觉，有望促进软体机器人的开发。

随着可持续的能力提高以及成本降低，带动快速充电技术的进步，可望成为电动汽车(EV)快速充电站扩展的主要推动力，并进而推动电动汽车市场增长…

5月3日，初创公司NEO Semiconductor宣布推出其突破性技术3D X-DRAM，该技术可以生产230层的128Gb(16GB) DRAM芯片，是当前DRAM密度的八倍。这是全球首款类3D NAND DRAM单元阵列，旨在解决DRAM的容量瓶颈，取代整个2D DRAM市场。

乍看之下，数据中心(或者说“服务器群”)产生的兆瓦级的废热似乎是一种真正的能源浪费，但它们也带来了独特的回收、采集与再利用机会…

近日，美国麻省理工学院一个跨学科团队开发出一种低温生长工艺，可直接在硅芯片上有效且高效地“生长”二维(2D)过渡金属二硫化物(TMD)材料层，以实现更密集的集成。