广告

锐成芯微推出基于BCD工艺的三层光罩eFlash IP 

2023-03-02 锐成芯微 阅读:
成都锐成芯微科技股份有限公司宣布,公司推出基于BCD工艺平台的LogicFlash Pro® eFlash IP产品,其特点是在BCD工艺节点上仅增加三层光罩,使得模拟芯片与控制芯片得以合二为一。

2023年3月2日,成都锐成芯微科技股份有限公司(简称:“锐成芯微”“Actt”)宣布,公司推出基于BCD工艺平台的LogicFlash Pro® eFlash IP产品,其特点是在BCD工艺节点上仅增加三层光罩,使得模拟芯片与控制芯片得以合二为一。QNaednc

BCD+eFlash工艺平台需求日益强烈

嵌入式存储IP被广泛应用于需要存储代码程序、关键数据或其他重要信息的芯片,如智能卡,SIM卡,MCU,电源/电池管理芯片和显示驱动器芯片等。近年来,随着大数据、物联网、汽车电子等应用领域的蓬勃发展,对芯片中存储IP的可靠性、稳定性、安全性、存储容量、操作性能都提出了更高要求。QNaednc

模拟芯片大多采用BCD工艺平台来实现,比如电源管理芯片、电机驱动芯片、照明驱动芯片、快充/无线充芯片、BMS电池管理系统中的模拟前端芯片等。BCD (Bipolar-CMOS-DEMOS)工艺通过集成高驱动能力的Bipolar器件、高集成度低功耗的 CMOS 器件和耐高压高频的 DEMOS 器件,实现了单片晶圆生产功率、模拟和数字信号电路。QNaednc

近些年随着终端产品的智能化和小型化,模拟芯片如能和控制芯片集成在一颗芯片中,将大幅提高系统性能并节省BOM成本。比如电机驱动芯片中可以同时集成前置驱动、运放、线性稳压器和MCU控制芯片,做到四合一;再比如无线充电芯片中可以同时集成无线充/快充协议芯片,电源管理芯片,收发芯片和MCU控制芯片等。传统的MCU控制芯片一般采用eFlash工艺,需要利用平台上的非挥发存储器来存储或运行程序代码。因此,随着模拟芯片的集成度、智能化越来越高, BCD+eFlash的工艺平台需求也日益强烈。QNaednc

锐成芯微推出eFlash IP ,在BCD工艺基础上只增加三层光罩

从工艺集成的角度来看,将BCD工艺中的DEMOS高压器件和eFlash做到一起并非易事。高压DEMOS器件关注的是如何减小器件的开态电阻,如何提高击穿电压;而eFlash关注的是数据保持能力,存储器读/写速度,存储单元的面积,额外光罩层次。在工艺开发时,经常遇到一个难点,这两种器件都需要增加光罩,修改工艺,这会同时影响到高压和存储器件,怎样进行权衡?QNaednc

锐成芯微经过长期的技术研发,提出了创新性的eFlash器件结构,并开发了LogicFlash Pro®完整的eFlash解决方案。得益于该技术独特的实现方式,大大简化了业界流行的eFlash技术的光罩层数和工艺步骤,并且在BCD工艺上只需增加三层光罩便可实现eFlash,不仅维持了原有高压器件的高性能,也增加了具有高可靠性的eFlash,能帮助芯片企业将模拟芯片和控制芯片合二为一,有效控制整体的系统成本。QNaednc

锐成芯微基于BCD工艺的eFlash IP已展现优异的测试性能和结果,包括125℃高温操作寿命大于1000小时, 125℃的高温数据保持能力超过10年,擦除写入次数大于10万次。该IP方案已被知名汽车芯片厂商采用。QNaednc

锐成芯微的嵌入式存储IP,经过十多年的技术积累和迭代,已发展了包括MTP,OTP,eFlash等众多产品线,不仅在BCD工艺平台,也适用于更多逻辑工艺平台。锐成芯微持续通过差异化路线,帮助芯片厂商加速产品上市时间,迅速占领市场,得益于其在性能、良率、可靠性以及出货量方面表现突出,已广泛应用于消费类、通信类,以及工控和汽车电子等领域。QNaednc


QNaednc

责编:GreatAE
  • 微信扫一扫
    一键转发
  • 最前沿的电子设计资讯
    请关注“电子技术设计微信公众号”
广告
热门推荐
广告
广告
EE直播间
在线研讨会
广告
广告
面包芯语
广告
向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了