广告

英飞凌和松下携手加速650V GaN功率器件的GaN技术开发

2021-09-08 阅读:
英飞凌和松下签署协议,共同开发和生产第二代(Gen2)成熟的氮化镓(GaN)技术,提供更高的效率和功率密度水平。

【2021年9月8日,德国慕尼黑和日本大阪讯】英飞凌科技股份公司(FSE: IFX/OTCQX: IFNNY)和松下公司签署协议,共同开发和生产第二代(Gen2)成熟的氮化镓(GaN)技术,提供更高的效率和功率密度水平。杰出的性能和可靠性与8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力相结合,标志着英飞凌对氮化镓功率半导体日益增长的需求的战略拓展。根据市场需求,Gen2将被开发为650V GaN HEMT。这些器件将易于使用,并提供更高的性价比,主要针对高功率和低功率SMPS应用、可再生能源、电机驱动应用等。hfkednc

对于许多设计来说,氮化镓(GaN)比硅具有根本的优势。与硅MOSFET相比,氮化镓HEMT具有出色的特定动态导通电阻和更小的电容,因此更适于做高速开关。由此带来的能耗节省和系统总成本降低、可以在更高频率、更高的功率密度和整体系统效率下工作,使GaN成为对设计工程师非常有吸引力的选择。hfkednc

英飞凌电源和传感器系统事业部总裁Andreas Urschitz表示:“除了与第1代相同的高可靠性标准外,由于转向8英寸晶圆制造,下一代客户将因晶体管更易控制以及显著改善的成本定位而受益。如同双方联合开发的第一代器件(即英飞凌的CoolGaN和松下的X-GaN),第二代器件将基于常闭型硅基氮化镓晶体管结构,再结合混合型漏极嵌入式栅极注入晶体管(HD-GIT)结构无可比拟的稳健性,使这些组件成为市场上的首选产品和最长期可靠的解决方案之一。”hfkednc

松下电器工业解决方案公司工程部副主任Tetsuzo Uedai表示:“我们很高兴能扩大与英飞凌在氮化镓组件方面的伙伴关系和合作。在这种联合方式下,我们将能够以最新的创新发展为基础,提供高品质的第一代和第二代器件。”hfkednc

情况hfkednc

全新650V GaN Gen2器件计划于2023年上半年上市。hfkednc

关于英飞凌hfkednc

英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司,我们让人们的生活更加便利、安全和环保。英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2020财年(截止9月30日),公司的销售额达85亿欧元,在全球范围内拥有约46,700名员工。2020年4月,英飞凌正式完成了对赛普拉斯半导体公司的收购,成功跻身全球十大半导体制造商之一。hfkednc

英飞凌在法兰克福证券交易所(股票代码:IFX)和美国柜台交易市场 OTCQX International Premier(股票代码:IFNNY)挂牌上市。更多信息,请访问www.infineon.comhfkednc

更多新闻,请登录英飞凌新闻中心:https://www.infineon.com/cms/cn/about-infineon/press/press-releases/hfkednc

英飞凌中国hfkednc

英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有约2000名员工,已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。hfkednc

本文为EDN电子技术设计 原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
  • 微信扫一扫
    一键转发
  • 最前沿的电子设计资讯
    请关注“电子技术设计微信公众号”
广告
热门推荐
广告
广告
EE直播间
在线研讨会
广告
广告
面包芯语
广告
向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了