广告

杜邦Nikal BP电镀化学品系列又添新成员——无硼酸电镀镍

2021-09-24 阅读:
该化学品安全性更强,可确保凸块下金属化层表面形态光滑,厚度均匀一致

美国特拉华州威尔明顿,2021年9月24日 — 杜邦(纽约证券交易所股票代码:DD)电子与工业事业部(以下简称“杜邦”)今日宣布,Nikal BP电镀化学品系列又添新成员——Nikal BP BAF Ni电镀镍。这款新增的化学品不含硼酸,是凸块下金属化层(UBM)封装应用更为安全的电镀选择。Arjednc

UBM是一种先进的封装工艺,需要在集成电路(IC)或铜柱和倒装芯片封装中的焊锡凸块之间建立一层薄膜金属层堆叠。此堆叠对于封装的可靠性至关重要,它的作用主要有三个:Arjednc

  • 在裸片和凸块间建立电气连接;
  • 形成阻隔层,防止不必要的扩散;
  • 在凸块和凸块衬垫间建立机械连接。

杜邦十分重视可持续发展,致力于以绿色化学原则为指引,通过设计提高创新工艺的安全性。杜邦已建立倡导学习和协作的企业文化,以为未来发展开发可持续的解决方案。在UBM工艺中,硼酸是传统氨基磺酸镍浴常用的缓冲剂,但Nikal BP BAF Ni电镀镍中没有使用硼酸。这种新化学品使用了另一种替代缓冲剂,不仅增强了杜邦对可持续发展的承诺,而且提高了市场采用更安全替代品的速度。Arjednc

Nikal BP BAF Ni电镀镍的特点是能够生产用于晶圆电镀的低孔隙率镍镀层,因此,它非常适合需要低应力镍、可焊性、UBM阻隔层和凸块电镀的半导体晶圆应用。它还可以在半导体组件上为使用黄金、钯、锡和锡合金的过电铸工艺提供优质的基础镀层。Arjednc

杜邦电子与工业事业群先进封装技术事业全球业务总经理陈俊达表示:“杜邦公司持续致力于品质提升和产品创新。经过多年的深耕努力,我们的电镀化学产品已在客户端积累了大量的优异的功能性及可靠度纪录,同时我们也承诺将永续的理念融合于于我们的产品与技术开发。Nikal BP BAF Ni电镀镍的开发就是我们所奉行理念的完美结合的体现。”Arjednc

Nikal BP BAF Ni是一种单一、即用型化学品,有低泡沫,长电解槽寿命等特点,能够产生光滑的表面形态和均匀一致的厚度。在线测量的方式可帮助用户更加轻松地实现流程控制,与传统Nikal BP Ni的兼容性确保现有用户只需简单替换即可。Arjednc

杜邦可靠的Nikal BP化学品专为满足客户的广泛需求而设计,能够形成均匀的沉积物,拥有出色的阻隔能力、可焊性以及对于晶圆制造一致性至关重要的其他特性。Arjednc

有兴趣的客户请联系您的客户经理,了解更多关于Nikal BP系列电镀化学品的信息。Arjednc

关于杜邦电子与工业Arjednc

杜邦电子与工业事业部是新技术和高性能材料的全球供应商,致力于半导体,电路板,显示器,数码和柔版印刷,医疗保健,航空航天,工业和运输行业。顶尖的研发科学家和应用专家团队在世界各地的先进技术中心与客户紧密合作,提供解决方案,产品和技术服务,以实现下一代技术。Arjednc

关于杜邦公司Arjednc

杜邦公司(纽交所代码:DD)提供以科技为基础的材料,原料和解决方案,致力于成为全球创新推动者之一,为各行各业和人们的日常生活带来革新。我们的员工运用多样化的科学技术和专业经验,协助客户推进他们的创意,在电子,交通,建筑,水处理,建康保健和工作防护等关键市场提供必要的创新。如需了解更多有关杜邦公司及其业务和解决方案的信息,请浏览www.dupont.com投资者可以在网站investors.dupont.com的投资者关系栏目获取信息。Arjednc

#   #   #Arjednc

杜邦,杜邦椭圆形标志和所有标示, 或 ® 的产品,除非另有说明,均为杜邦公司及其关联机构的商标,服务标志或注册商标。Arjednc

本文为EDN电子技术设计 原创文章,禁止转载。请尊重知识产权,违者本司保留追究责任的权利。
  • 微信扫一扫
    一键转发
  • 最前沿的电子设计资讯
    请关注“电子技术设计微信公众号”
  • 瑞能:理想照进现实,拥抱第三代半导体新纪元 9月15日,在由临港集团主办、ASPENCORE承办的第二届中国(上海)自贸区临港新片区半导体产业发展高峰论坛上,瑞能半导体首席战略和业务运营官沈鑫分享了“理想照进现实,拥抱第三代半导体新纪元”的主题演讲。
  • 华大九天:自主EDA发展之路——化合物半导体解决方案 9月15日,在由临港集团主办、ASPENCORE承办的第二届中国(上海)自贸区临港新片区半导体产业发展高峰论坛上,北京华大九天科技股份有限公司董事长刘伟平通过视频方式分享了“自主EDA发展之路——化合物半导体解决方案”的主题演讲。
  • 在图腾柱PFC电路中使用SiC MOSFET的优势 对于非常低的功率,有可能采用线路频率电感器进行“无源”校正,但对于几十瓦以上的功率,这成本太高,且又大又重。更高功率的解决方案是通过以更高频率开关电流,并使用正弦线路电压波形的模拟来调制脉冲宽度,以主动强制线电流遵循施加的电压波形。
  • UnitedSiC推出业界最佳6mΩ SiC FET 新增的9款器件可实现更高水平的设计灵活性
  • 仿真看世界之SiC MOSFET单管的并联均流特性 开篇前言关于SiC MOSFET的并联问题,英飞凌已陆续推出了很多技术资料,帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境,分析SiC MOSFET单管在并联条件
  • 开发基于碳化硅(SiC)的25kW快速直流充电桩(第一部分): 本系列文章将谈论直流充电器的开发过程,在每一部分探讨不同的主题。将聚焦所面临的关键挑战、权衡和妥协,并展示如何从头设计、构建和验证这样的系统。在第一部分中,将描述快速电动车充电器的结构,并定义其关键电气规格。
广告
热门推荐
广告
广告
EE直播间
在线研讨会
广告
广告
面包芯语
广告
向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了