广告

Vishay推出用于多相电源具有超低直流内阻的IHSR高温商用电感器

2021-11-17 阅读:
器件采用2525外形尺寸封装,高度仅为3mm,工作温度达+155℃

宾夕法尼亚、MALVERN — 20211117 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出7.4 mm x 6.6 mm x 3.0 mm 2525外形尺寸全新IHSR高温商用电感器---IHSR-2525CZ-51。Vishay Dale IHSR-2525CZ-51专为多相大电流电源及滤波器而设计,直流内阻(DCR)比一般功率电感器降低50 %,与铁氧体解决方案相比,整个工作温度范围内,具有出色的感值稳定性,并具有软饱和特性。ZbUednc

ZbUednc

日前发布的电感器基于Vishay受欢迎的IHLP®技术,频率高达10MHz,特别适合用于DC/DC转换器能量存储,以及电感器自谐振频率(SRF)以下的大电流滤波。器件工作温度达+155 ℃,适用于笔记本电脑、台式电脑及服务器;POL转换器;图形卡;分布式电源系统以及FPGA的滤波和DC/DC转换。ZbUednc

IHSR-2525CZ-51典型直流内阻低至0.38 mΩ,电感值为0.056 µH,在同类技术中具有更高电流密度,3 mm高度使成品设计得以更加轻薄。电感器封装采用100 %无铅(Pb)屏蔽复合结构,蜂鸣噪声降至超低水平,具有高抗热冲击、耐潮湿、抗机械振动能力,可无饱和处理高瞬态电流尖峰。器件符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素。ZbUednc

器件规格表:ZbUednc

外形尺寸 2525
电感 (µH) 0.056~0.100
典型DCR (mΩ) 0.38~0.97
最大DCR (mΩ) 0.40~1.02
温升电流 (A) 46~58(1)
饱和电流 (A) 31~45(2) / 46~64(3)
SRF (MHz) 186~535

(1) 直流电流 (A) 会导致ΔT下降约40 ZbUednc

(2) 直流电流 (A) 会导致L0下降约20 %ZbUednc

VISHAY简介ZbUednc

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.comZbUednc

The DNA of tech. 是Vishay Intertechnology的商标。 ZbUednc

  • 微信扫一扫
    一键转发
  • 最前沿的电子设计资讯
    请关注“电子技术设计微信公众号”
  • 电容器鼓包是怎么回事?需要更换吗? 显然,鼓包的电容是坏电容,需要更换。但每个看上去鼓包的电容就真的鼓包了吗?
  • 电机控制和能源效率:两者不再无关 在AspenCore主办的PowerUP Expo虚拟展会关于电机控制趋势和前景的圆桌会议上,五位行业专家分享了他们的观点。
  • 10A电子保险丝可为48V电源提供紧凑型过流保护 传统上,过流保护使用的是保险丝。但是,保险丝体积庞大,响应速度慢,跳闸电流公差大,需要在一次或几次跳闸后更换。本文介绍一种外形紧凑、纤薄、响应速度快的10 A电子保险丝,它没有上述这些无源保险丝缺点。电子保险丝可在高达48 V的DC电源轨上提供过流保护。
  • 碳化硅器件技术之近况与展望 碳化硅功率器件将快速成为车用半导体产业的明日之星。本刊特别邀请到在第三类半导体研究领域顶尖学者崔秉钺教授,为本刊撰文介绍碳化硅功率器件的发展概况与技术趋势,与读者分享此一重要科技领域的学术研究进展。
  • 如何为SiC MOSFET选择合适的栅极驱动器 尽管碳化硅(SiC)具有开关速度更快和效率更高等一系列优势,但它也带来了一些设计挑战,我们可以通过选择合适的栅极驱动器来予以解决。
  • 如何保护USB Type-C连接器免受静电放电和过热影响 移动设备工程师可以使用TVS二极管保护USB线路,使用数字温度指示器保护USB Type-C连接器,从而保护他们的设计。
  • “中国IC设计成就奖”提名产品简介:碳化硅肖特基二极管 碳化硅肖特基功率二极管在开关电源电路中的应用,更好的让电路工作在高频状态,减小电路中电感等元件体积重量,由于碳化硅肖特基二极管优良的耐温性能和低损耗特性,让电路中热沉的体积重量得到改善,便于优化电路的热设计,与此同时,应用了SOD123封装形式的该款器件,为功率二极管小型化提出了解决方案,更好的贴合对器件小型化和产品功率密度改善有要求的客户需求。该产品可应用于高频ACF,小功率GaN适配器,驱动部分自举电路,高频DC/DC电路等应用场合。G51XT碳化硅肖特基二极管已进入市场,有良好的市场反馈。
  • “中国IC设计成就奖”提名产品简介:屏蔽栅金属氧化场效 捷捷微电 (上海) 科技有限公司已推出的 N 沟道 100V 含自有先进平台 JSFET 系列中的 JMSH1001ATL ,采用了经 AEQ-101 验证、具超优热导性能的 PowerJE10x12 (TOLL) 创新型封装。
  • “中国IC设计成就奖”提名产品简介:超高耐压贴片SJ-MOS 维安面向全球市场,在800V及以上超高压产品进行了大量的技术投入,经过近多年的超高压SJ-MOSFET产品研发积累,已开发出国内非常领先的工艺技术,可以将小封装,高耐压导通电阻做到非常低水平。给客户提供高功率密度的800V及900V以上耐压产品。此举填补国内空白,打破了进口品牌垄断的局面。降低对国外产品依存度。维安1000V超结工艺产品技术利用电荷平衡原理实现高耐压的低导通电阻的特性。相比VD-MOSFET 结构工艺产品,SJ-MOSFET有更好的更小封装和成本优势。目前市场使用1000V耐压MOSFET,多以TO247, TO-3P甚至TO-268超大封装。维安1000V器件WMO05N100C2,使用TO-252/DPAK贴片封装,内阻低至3.5Ω,相比同规格VDMOSFET 6-7Ω 下降1倍。目前在工业控制,中低压配电等380VAC输入场景得到广泛应用。
  • 从技术角度分析,GaN和SiC功率器件上量还欠什么? 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)这两种新器件正在推动电力电子行业发生重大变化,它们在汽车、数据中心、可再生能源、航空航天和电机驱动等多个行业取得了长足的进步。在由AspenCore集团举办的PowerUP Expo大会上,演讲嘉宾们深入探讨了包括GaN和SiC在内的宽禁带(WBG)器件的技术优势以及发展趋势。
  • 充分挖掘SiC FET的性能 功率转换器的性能通常归结到效率和成本上。实际示例证明,在模拟工具的支持下,SiC FET技术能兼顾这两点。
  • 开发基于碳化硅的25kW快速直流充电桩(第二部分):方案概述 在本系列文章的第一部分中,我们介绍了电动车快速充电器的主要系统要求,概述了这种充电器开发过程的关键级,并了解到安森美(onsemi)的应用工程师团队正在开发所述的充电器。现在,在第二部分中,我们将更深入研究设计的要点,并介绍更多细节。特别是,我们将回顾可能的拓扑结构,探讨其优点和权衡,并了解系统的骨干,包括一个半桥SiC MOSFET模块。
广告
热门推荐
广告
广告
EE直播间
在线研讨会
广告
广告
面包芯语
广告
向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了