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Vishay推出最新第四代600 V E系列MOSFET器件, RDS(ON)*Qg FOM仅为2.8 Ω*nC,达到业内先进水平

2022-02-23 Vishay 阅读:
超级结器件降低传导和开关损耗,提高通信、服务器和数据中心应用能效

宾夕法尼亚、MALVERN — 2022年2月23日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 沟道SiHK045N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %,为通信、服务器和数据中心电源应用提供了高效解决方案,同时实现栅极电荷下降60 %。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内先进水平,该参数是600 V MOSFET在功率转换应用中的关键指标(FOM)。F0hednc

F0hednc

Vishay丰富的MOSFET技术全面支持功率转换过程,涵盖需要高压输入到低压输出的各种新型电子系统。随着SiHK045N60E的推出以及即将发布的第四代600 V E系列产品,公司可在电源系统架构设计初期满足提高能效和功率密度的要求——包括功率因数校正和硬切换AC/DC转换器拓扑结构。F0hednc

SiHK045N60E采用Vishay最新高能效E系列超级结技术,10 V下典型导通电阻仅为0.043 Ω,超低栅极电荷下降到65 nC。器件的FOM为2.8 Ω*nC,比同类接近的MOSFET竞品器件低3.4 %。SiHK045N60E有效输出电容Co(er) 为117 pF,有助于改善开关性能。这些性能参数意味着降低了传导和开关损耗,从而达到节能效果。SiHK045N60E结壳热阻RthJC为0.45 C/W,比接近的竞品器件低11.8 %,具有更加出色的热性能。F0hednc

该器件采用PowerPAK® 10x12封装,符合RoHS标准,无卤素,可承受雪崩模式下过压瞬变,并保证极限值100 %通过UIS测试。F0hednc

SiHK045N60E现可提供样品并已实现量产,供货信息可与当地Vishay销售代表联系或发送电子邮件至hvm@vishay.comF0hednc

VISHAY简介F0hednc

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.comF0hednc

The DNA of tech 是Vishay Intertechnology的商标。TrenchFET和PowerPAK是Siliconix公司注册商标。F0hednc

责编:Franklin
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