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“中国IC设计成就奖”提名产品简介:高速存储控制芯片HG2319优势

2022-02-28 中国IC设计成就奖组委会 阅读:
宏芯宇自主研发的全球首颗40nm的USB接口存储控制芯片HG2319,采用USB3.0技术,实现了闪存存储速度创新,一举将速度提升10倍,满足了人们高速传送高品质影像档案的速度要求,省电节能、更高兼容性、成本更低。采用BCH 90 Bit ECC纠错引擎,相比同业采用的72bit更加强化存储容错率,等同于增加闪存盘产品稳定性与寿命,透过领先的研发技术,HG2319目前是同业产品中最小面积的设计,成本领先同业。

奖项类别:存储器ndXednc

提名公司:深圳宏芯宇电子股份有限公司ndXednc

提名产品:高速存储控制芯片HG2319ndXednc

推荐理由/产品简介:ndXednc

<p><img alt="" src="https://iic.eet-china.com/product/hongxinyuHG2319.jpg" /></p>ndXednc

宏芯宇自主研发的全球首颗40nm的USB接口存储控制芯片HG2319,采用USB3.0技术,实现了闪存存储速度创新,一举将速度提升10倍,满足了人们高速传送高品质影像档案的速度要求,省电节能、更高兼容性、成本更低。采用BCH 90 Bit ECC纠错引擎,相比同业采用的72bit更加强化存储容错率,等同于增加闪存盘产品稳定性与寿命,透过领先的研发技术,HG2319目前是同业产品中最小面积的设计,成本领先同业。ndXednc

“中国IC设计成就奖” 评选并表彰业内优秀的中国 IC 设计公司、上游服务供应商和热门IC产品。2022年是行业评选的第20年,每年提名的热门IC产品都是工程师了解行业最新动态的绝佳资料,“芯品汇”栏目特地汇聚整理了今年提名产品的性能信息,希望能为工程师设计提供参考。更多提名产品,请访问:https://iic.eet-china.com/list.html。最终获奖产品将在4月20日-21日在上海国际会议中心盛大举行的2022国际集成电路展览会暨研讨会IIC Shanghai 2022期间揭晓,欢迎免费报名参观ndXednc

责编:Franklin
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