广告

“中国IC设计成就奖”提名产品简介:4Gb 3.3V 串行 NAND FlashD S35Q4GM-IB优势

2022-02-28 中国IC设计成就奖组委会 阅读:
单芯片设计的串行通信方案,引脚少、封装尺寸小,且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器,并带有内部ECC模块,使其在满足数据传输效率的同时,既节约了空间,又提升了稳定性。

奖项类别:存储器YWLednc

提名公司:东芯半导体股份有限公司YWLednc

提名产品:4Gb 3.3V 串行 NAND FlashD S35Q4GM-IBYWLednc

推荐理由/产品简介:YWLednc

该产品采用38nm工艺制程,同时2xnm制程工艺产品达到可量产水平,持续推进国内先进制程的同时提升产品在可靠性、功耗等性能方面的表现。YWLednc

YWLednc

单芯片设计的串行通信方案,引脚少、封装尺寸小,且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器,并带有内部ECC模块,使其在满足数据传输效率的同时,既节约了空间,又提升了稳定性。YWLednc

可提供3.3V/1.8V两种电压,不仅能满足常规应用,也使其能在目前日益普及的移动互联网和物联网设备中保持低功耗,延长待机时间。同时凭借产品品类丰富、功耗低、可靠性高等特点,被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备及物联网等领域,被主要应用于5G通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒和智能手环等终端产品。YWLednc

该产品相较之前产品不但提高了工艺制程,且具有更大的容量,已实现量产并作为东芯半导体今年的拳头产品推向市场。YWLednc

“中国IC设计成就奖” 评选并表彰业内优秀的中国 IC 设计公司、上游服务供应商和热门IC产品。2022年是行业评选的第20年,每年提名的热门IC产品都是工程师了解行业最新动态的绝佳资料,“芯品汇”栏目特地汇聚整理了今年提名产品的性能信息,希望能为工程师设计提供参考。更多提名产品,请访问:https://iic.eet-china.com/list.html。最终获奖产品将在4月20日-21日在上海国际会议中心盛大举行的2022国际集成电路展览会暨研讨会IIC Shanghai 2022期间揭晓,欢迎免费报名参观YWLednc

责编:Franklin
  • 微信扫一扫
    一键转发
  • 最前沿的电子设计资讯
    请关注“电子技术设计微信公众号”
广告
热门推荐
广告
广告
EE直播间
在线研讨会
广告
广告
面包芯语
广告
向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了