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“中国IC设计成就奖”提名产品简介:应用于汽车电子的嵌入式非挥发性存储方案(eNVM)优势

2022-02-28 中国IC设计成就奖组委会 阅读:
兼具eFlash的高性能以及OTP的工艺兼容性,同时可满足AEC-Q100车规标准。

奖项类别:存储器F4Oednc

提名公司:成都锐成芯微科技股份有限公司F4Oednc

提名产品:应用于汽车电子的嵌入式非挥发性存储方案(eNVM)F4Oednc

推荐理由/产品简介:F4Oednc

兼具eFlash的高性能以及OTP的工艺兼容性,同时可满足AEC-Q100车规标准。F4Oednc

1. 产品性能: LogicFlash®(MTP)技术解决方案易于集成在多种工艺平台上(Logic/Mix-signal/BCD/HV/SiGe等);支持高速读(25MHz)和高速写(30us/Byte);可重复擦/写次数超过1万次;高温条件下数据保存10年以上,达到AEC-Q100车规等级标准。F4Oednc

2. 价格竞争力:基于逻辑工艺实现,无需额外光罩或工艺步骤,节省晶圆成本;超快的写速度和读速度,节省测试成本;嵌入式方案,无需额外采购ROM,节省BOM成本和库存压力。F4Oednc

3. 技术创新:LogicFlash® (MTP)核心技术是通过单层多晶硅实现eFlash功能,工艺兼容性极强;采用2T1C的存储单元架构,保障足够的存储窗口以及强大的抗干扰性;ECC功能和EDWS报警系统,增添了功能安全的设计,为工控/车用迈出坚实的一步。F4Oednc

4. 客户服务:目前和16家晶圆代工厂合作,布局了三十多个工艺平台,覆盖Logic/Mix-signal/BCD/SiGe/HV等工艺;截止目前,服务的客户超过70家,NTO超过150颗。这些客户产品涵盖MCU、PMIC、BMIC、马达驱动芯片、触控芯片、传感器信号调理芯片、微波芯片等。F4Oednc

5. 应用案例:基于0.18um BCD 1P4M工艺,设计了一颗64X16 MTP IP,被客户应用在汽车电池管理系统芯片(BMS SoC)中。IP面积0.59mm^2,支持低压写操作(2.4V~5.5V);有ECC保护功能和EDWS错误报警功能;可支持150℃高温读操作;数据保持时间超过10年/150℃。F4Oednc

“中国IC设计成就奖” 评选并表彰业内优秀的中国 IC 设计公司、上游服务供应商和热门IC产品。2022年是行业评选的第20年,每年提名的热门IC产品都是工程师了解行业最新动态的绝佳资料,“芯品汇”栏目特地汇聚整理了今年提名产品的性能信息,希望能为工程师设计提供参考。更多提名产品,请访问:https://iic.eet-china.com/list.html。最终获奖产品将在4月20日-21日在上海国际会议中心盛大举行的2022国际集成电路展览会暨研讨会IIC Shanghai 2022期间揭晓,欢迎免费报名参观F4Oednc

责编:Franklin
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