三星电子宣布，三星先进技术研究院(SAIT)联合蔚山国家科学技术院(UNIST)、英国剑桥大学，发现了一种全新的半导体材料“无定形氮化硼”(amorphous boron nitride)，简称a-BN，有望推动下一代半导体芯片的加速发展。

持续成长的功率半导体组件需求正推动WBG组件市场的成长，各家业者持续投资SiC与GaN材料与晶圆片的开发与量产。而WBG市场将往什么方向发展？谁在其中扮演要角？这些业者又如何克服数十年来WBG组件面临之高成本、低产量以及有限的供应链等挑战？

都说SiC和GaN可以实现高效率，从而轻松满足业界所提出的最新能效要求。现在，EDN申请到一款最新的SiC评估板，据说单级PFC的效率达到99%。今天就拿它来做个评测，看看效率是否有声称的那么好。

在作为消费类电子风向标的手机行业中，目前已有华为、小米、OPPO、魅族、三星、努比亚、realme等多个知名品牌推出了氮化镓快充产品。电商方面，目前也有17家品牌先后推出了数十款氮化镓快充新品。通过对比拆解的16款市售热门65W氮化镓快充，发现氮化镓功率芯片供应商主要有PI、纳微、英诺赛科三家。

总线必须具有低电阻和低电感，同时还必须有足够的电容以消除电压纹波。不幸的是，因为互连和内部寄生效应，能够满足低电感要求的电容器却无法满足低阻抗要求。要想实现多个相互冲突的目标，除了简单地增加更多体电容外，还可以使用不同的方法来尝试。

日前，广汽新能源公众号发布了一篇题为《石墨烯技术正在走出实验室，广汽新能源率先搭载量产测试》的文章，在网上引起了热议。 不少网友对其8分钟充电至85%的真实性提出质疑，更有网友认为这是新一轮的石墨烯技术炒作。

GaN器件已广泛用于光电子、RF和汽车领域。金刚石基GaN的主要市场则是防御雷达和卫星通信，目前也已开始针对5G基站应用进行大规模生产。

硅是数字革命的关键，现在，它又开始在锂离子电池领域展现应用潜力，而锂离子电池是解决长期气候变化危机的关键技术之一。

650V SiC MOSFET主要应用包括电源供应器、不间断电源、电动汽车充电、电机驱动以及光伏和储能，最大的部分来自电源。那么，与传统的硅产品相比，碳化硅可以达到怎样的功效或获得怎样的好处呢？

随着宽禁带器件在电动车市场的机会大增，未来SiC与GaN在电动车市场是否发生短兵相接的情况，或各拥山头？

随着全球经济向数字化不断迈进，基于云平台的服务需求越来越旺盛，很多公司开始投资新的数据中心。不间断电源(UPS)是其中的关键部分，对于确保数据中心运营的连续性和可靠性至关重要。与传统的硅功率器件和其他方案相比，碳化硅技术可极大提升数据中心的能源效率。

Advanced Energy Industries旗下的雅特生科技 (Artesyn Embedded Power) 推出的最新直流/直流电源转换器属于AGQ500系列500W电源转换器模块，主要面向氮化镓(GaN)射频功率放大器的各种应用。

已有令人惊讶的小范围聚合物材料，能满足微电子领域多年的结构性塑料需求。

以前，电源工程师的设计优先级是先考虑成本，再考虑效率，最后考虑体积。然而，随着时代的发展，系统变得越来越复杂，体积也越来越小，系统已经不再只是一块PCB板，而是变得越来越复杂。系统开发人员要花多少时间在电源上？而且，现在的电源设计优先级已发生改变：体积的要求最高。

氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件，能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固，因此需谨慎应用，集成正确的栅极驱动对于实现最佳性能和可靠性至关重要。本文着眼于这些问题，给出一个驱动器方案，解决设计过程的风险。