第五届上海FD-SOI论坛9月26日在上海召开,本届论坛是规模最大、重量级嘉宾最多、形势最鼓舞人心、午餐最好吃的一届。

在论坛上,各位嘉宾在谈及与竞争对手/工艺的性能对比也没有遮遮掩掩,EDN很轻松的得到了竞争对手之间的性能互怼参数、竞争工艺互怼参数、成本互怼表格等数据,分享给大家。

性能对比,竞争对手间互怼。

直接亮出性能比是今年电子行业展示自己最流行的方式,非常有诚意。格芯首席执行官Sanjay Jha在自己的演讲中直接给出了22nm FD-SOI和TSMC与英特尔的各项性能对比。

值得一提的是,参与对比的22FDX技术已就位,而英特尔22FFL和台积电22ULP分别还需要1-2个季度才能投产。

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成本对比,竞争工艺互怼。

只性能对比是不够的,IBS首席执行官Handel H.Jones给出了不同工艺下的每栅极成本对比。

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另外,考虑到成熟工艺包含的设备折旧费以及FD-SOI硅片(substrate)未来国产化后成本降低,这个值可能还会更具吸引力。——这部分在EDN后续关于产业链上下游的文章中会做进一步的分析。

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同一ARM核,在不同工艺上的性能互怼

今年大会的一个亮点是ARM的加入,不过ARM声称各大工艺都有自己的优势,并没有给出优劣。

但GF给出了相同的ARM内核,在采用28HKMG(高介电常数金属闸极)工艺和FD-SOI工艺时,在芯片面积、功耗方面的对比。

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FD-SOI制造成本低,那么设计成本呢?

制造成本比较容易算出来,而设计成本也是不可忽略的一环。IBS首席执行官Handel H.Jones给出的数据如下,包括硬件设计和软件设计。

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他认为,12nm FD-SOI的设计成本在5000万-5500万美金,而16nm的FINFET设计成本在7200美金左右,10nm FINFET设计成本在1.31亿美金。

中国IC厂商对FD-SOI的接受度如何?

很多业内人士认为FD-SOI是中国IC产业弯道超车的机会。格芯首席执行官Sanjay Jha坚信FD-SOI技术能够在中国取得巨大的发展。

目前已有10家中国客户在一年内流片或有测试芯片。

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初步分享完关于FD-SOI工艺目前的性能+成本后,相信更多的读者对该技术产生了足够大兴趣,接下来EDN带来关于上下游产业链的情况:

7个问题看懂FD-SOI全产业链

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