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安森美开发IGBT FS7开关平台,性能领先,应用工业市场

2023-03-21 安森美 阅读:
全新1200V器件提供领先市场的导通和开关性能

2023年3月21日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi,美国纳斯达克上市代号:ON),推出一系列全新超高能效1200V绝缘栅双极型晶体管(IGBT),具备业界领先的性能水平,最大程度降低导通损耗和开关损耗。这些新器件旨在提高快速开关应用能效,将主要用于能源基础设施应用,如太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、储能和电动汽车充电电源转换。q77ednc

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新的1200V沟槽型场截止(FS7)IGBT在高开关频率能源基础设施应用中用于升压电路提高母线电压,及逆变回路以提供交流输出。FS7器件的低开关损耗可实现更高的开关频率,从而减少磁性元件的尺寸,提高功率密度并降低系统成本。对于高功率能源基础设施应用,FS7器件的正温度系数使其能够轻松实现并联运行。q77ednc

安森美高级副总裁兼电源方案部先进电源分部总经理Asif Jakwani说:“由于能效在所有高开关频率的能源基础设施应用中极为关键,所以我们专注于降低关断损耗,这新系列的IGBT提供极佳的开关性能,其业界领先的性能使设计人员能够在要求非常高的高功率能源基础设施应用中满足最具挑战的能效要求。”q77ednc

FS7器件包括高速(S系列)和中速(R系列)版本。所有器件都含一个优化的二极管,实现低VF,减少开关损耗,可在高达175℃的结温(TJ)下工作。S系列器件如FGY75T120SWD的开关性能领先市场现有1200V IGBT。经7倍额定电流的测试,这种高可靠性的IGBT产品展现出出类拔萃的抗闩锁能力。R系列针对以导通损耗为主的中速开关应用如电机控制和固态继电器进行了优化。 在100A时VCESAT低至1.45V,比前一代器件降低了0.4V。q77ednc

FS7器件可采用TO247-3L, TO247-4L, Power TO247-3L等封装,也可提供裸片,为设计人员提供灵活性和设计备选配置。q77ednc

- 完 -q77ednc

关于安森美(onsemiq77ednc

安森美onsemi, 纳斯达克股票代号:ON)正推动颠覆性创新,帮助建设更美好的未来。公司专注于汽车和工业终端市场,正加速推动大趋势的变革,包括汽车功能电子化和安全、可持续电网、工业自动化以及5G和云基础设施等。安森美提供高度差异化的创新产品组合以及智能电源和智能感知技术,以解决全球最复杂的挑战,引领创造更安全、更清洁、更智能的世界。安森美位列《财富》美国500强,也被纳入标普500指数。了解更多关于安森美的信息,请访问:http://www.onsemi.cnq77ednc

安森美和安森美图标是Semiconductor Components Industries, LLC的注册商标。所有本文中出现的其它品牌和产品名称分别为其相应持有人的注册商标或商标。虽然公司在本新闻稿提及其网站,但此稿并不包含其网站中有关的信息。q77ednc

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