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Vishay推出采用源极倒装技术PowerPAK 1212-F封装的TrenchFET第五代功率MOSFET

2024-02-20 Vishay 阅读:
器件采用中央栅极结构3.3×3.3mm PowerPAK 1212F封装,提高系统功率密度,改进热性能

美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024220 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出多功能新型30V n沟道TrenchFET® 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN,进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度,增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-F封装,10V栅极电压条件下导通电阻仅为0.71 m,导通电阻与栅极电荷乘积,即开关应用中MOSFET关键的优值系数(FOM)为42 m*nC,达到业内先进水平。WhFednc

WhFednc

日前发布的器件占位面积与PowerPAK 1212-8S封装相同,导通电阻降低18%,提高了功率密度,同时源极倒装技术将热阻从63C/W降至56C/W。此外,SiSD5300DN优值系数比上代器件低35%,从而降低了导通和开关损耗,节省功率转换应用的能源。WhFednc

PowerPAK1212-F源极倒装技术颠倒通常接地焊盘和源极焊盘的位置,扩大接地焊盘面积,提供更有效的散热路径,有助于降低工作温度。同时,PowerPAK 1212-F减小了开关区范围,有助于降低迹线噪声的影响。另外,PowerPAK 1212-F封装源极焊盘尺寸增加了10倍,从0.36mm2提高到4.13 mm2,从而改进热性能。PowerPAK1212-F中央栅极结构还简化了单层PCB基板多器件并联的使用。WhFednc

采用源极倒装PowerPAK1212-F封装的SiSD5300DN特别适合二次整流、有源箝位电池管理系统(BMS)、降压和BLDC转换器、OR-ing FET、电机驱动器和负载开关等应用。典型终端产品包括焊接设备和电动工具、服务器、边缘设备、超级计算机、平板电脑、割草机和扫地机以及无线电基站。WhFednc

器件经过100% RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。WhFednc

主要技术规格表:WhFednc

PowerPAK1212-F PowerPAK1212-8S
封装尺寸:3.3 mm x 3.3mm 封装尺寸:3.3 mm x 3.3 mm
源极焊盘尺寸:4.13 mm2 源极焊盘尺寸:0.36 mm2
热阻:56 C/W 热阻:63 C/W
第五代技术优异导通电阻:SiSD5300DN: 0.87 mΩ (最大值) 第五代技术优异导通电阻:SiSS54DN: 1.06 mΩ (最大值)

SiSD5300DN现可提供样品并已实现量产,供货周期为26周。WhFednc

VISHAY简介WhFednc

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.®。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.comWhFednc

The DNA of tech® 是Vishay Intertechnology的注册商标。TrenchFET和PowerPAK是Siliconix incorporated的注册商标。WhFednc

责编:Franklin
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