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安森美发布高性能、低损耗的SUPERFET V MOSFET系列,应用于服务器和电信

2021-12-08 阅读:
新器件提供卓越的开关特性,使电源能符合80 PLUS Titanium能效标准

2021128—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi,美国纳斯达克股票代号:ON),发布新的600 V SUPERFET V MOSFET系列。这些高性能器件使电源能满足严苛的能效规定,如80 PLUS Titanium,尤其是在极具挑战性的10%负载条件下。600 V SUPERFET系列下的三个产品组--FAST、Easy Drive和FRFET经过优化,可在各种不同的应用和拓扑结构中提供领先同类的性能。BDDednc

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600 V SUPERFET V系列提供出色的开关特性和较低的门极噪声,从而降低电磁干扰(EMI),这对服务器电信系统是个显著的好处。此外,强固的体二极管和较高的VGSS(DC 30 V)增强了系统可靠性。BDDednc

安森美先进电源分部高级副总裁兼总经理Asif Jakwani说:“80 Plus Titanium认证以应对气候变化为目标,要求服务器和数据存储硬件在10%负载条件下的电源能效水平达90%,在处理50%负载时的能效达96%。我们的SUPERFET V系列的FAST、Easy Drive和FRFET版本正在满足这些要求,提供强固的方案,确保持续的系统可靠性。”BDDednc

FAST版本在硬开关拓扑结构(如高端PFC)中提供极高能效,并经过优化以提供更低的门极电荷(Qg)和EOSS损耗,实现快速开关。该版本的最初器件包括NTNL041N60S5H(41 mΩ RDS(on))和NTHL185N60S5H(185 mΩ RDS(on)),都采用TO-247封装。NTP185N60S5H则采用TO-220封装,NTMT185N60S5H采用8.0mm x 8.0mm x 1.0mm的Power88封装,保证达到湿度敏感等级MSL 1,并具有开尔文(Kelvin)源架构以改善门极噪声和开关损耗。BDDednc

Easy Drive版本适用于硬开关和软开关拓扑结构,包含一个内置门极电阻(Rg)及经优化的内置电容。它们适用于许多应用中的一般用途,包括PFC和LLC。在这些器件中,门极和源极之间的内置齐纳二极管的RDS(on) 超过120 mΩ,对门极氧化物的应力更小,ESD耐用性更高,从而提高封装产量,降低不良率。目前供应的两款器件NTHL099N60S5和NTHL120N60S5Z的RDS(on)为99 mΩ和120 mΩ,均采用TO-247封装。BDDednc

快速恢复(FRFET)版本适用于软开关拓扑结构,如移相全桥(PSFB)和LLC。它们的优势是快速体二极管,并提供降低的Qrr和Trr。强固的二极管耐用性确保更高的系统可靠性。内置齐纳二极管的NTP125N60S5FZ 的RDS(on)为125 mΩ,采用TO-220封装,而NTMT061N60S5F 的RDS(on)为61 mΩ,采用Power88封装。损耗最低的器件是NTHL019N60S5F,RDS(on)仅19 mΩ,采用TO-247封装。BDDednc

- 完 -BDDednc

关于安森美(onsemi)BDDednc

安森美onsemi, 纳斯达克股票代号:ON)正推动颠覆性创新,帮助建设更美好的未来。公司专注于汽车和工业终端市场,正加速推动大趋势的变革,包括汽车功能电子化和安全、可持续能源网、工业自动化以及5G和云基础设施等。安森美以高度差异化的创新产品组合,创造智能电源和感知技术,解决世界上最复杂的挑战,并引领创建一个更安全、更清洁、更智能的世界。了解更多请访问:http://www.onsemi.cnBDDednc

安森美和安森美图标是 Semiconductor Components Industries, LLC的注册商标。所有本文中出现的其它品牌和产品名称分别为其相应持有人的注册商标或商标。虽然公司在本新闻稿提及其网站,但此稿并不包含其网站中有关的信息。BDDednc

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