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“中国IC设计成就奖”提名产品简介:IVCR1401 35V 4A SiC和IGBT 8引脚集成负压偏置和短路保护驱动器优势

2022-03-01 中国IC设计成就奖组委会 阅读:
IVCR1401是一款4A单通道高速智能栅极驱动器,能够高效,安全地驱动SiC MOSFET和IGBT, 对比传统的栅极驱动,8引脚设计更简洁,使用更方便,能大大节约开发时间成本。

奖项类别:驱动芯片LED驱动ICLbFednc

提名公司:上海瞻芯电子科技有限公司LbFednc

提名产品:IVCR1401 35V 4A SiC和IGBT 8引脚集成负压偏置和短路保护驱动器LbFednc

推荐理由/产品简介:LbFednc

IVCR1401 是一款 4A 单通道高速智能栅极驱动器,能够高效,安全地驱动 SiC MOSFET 和IGBT, 对比传统的栅极驱动,8引脚设计更简洁,使用更方便,能大大节约开发时间成本。LbFednc

LbFednc

1、技术特点:LbFednc

带有负压的驱动可以在高 dv / dt 下,提高抗米勒 效应的噪声抑制能力。LbFednc

退饱和检测可提供有效的 短路保护,并降低电源设备和系统元件损坏的风 险。LbFednc

内置固定的 200ns 消隐时间,以防止因开关动作产生的电流尖峰和噪声而过早被触发过流保护。LbFednc

可调 节的正栅极驱动电压 UVLO 保护和固定的负偏置 UVLO 保护可确保可靠的栅极工作电压。LbFednc

当发生 UVLO 或过电流时,故障信号/FAULT 变低电平 并向系统发出警报。LbFednc

2、设计特色:LbFednc

集成的负压生成和 5V 参考 输出可最大程度地减少外部组件数量。LbFednc

具有可选的热焊盘,低传播延迟和失配的驱动,使 SiC MOSFET 能够以数百 kHz 的频率开关。LbFednc

它是工业 界首款采用 8 引脚封装上,集成负压驱动、退饱 和及可调节 UVLO 的 SiC MOSFET 和 IGBT 驱 动器LbFednc

3、应用优势:LbFednc

• 4A 峰值拉、灌电流LbFednc

• 高达 35V VCC 宽范围供电LbFednc

• 内部集成 3.5V 负压偏置LbFednc

• 低侧栅极驱动,也适用于自举高侧栅极驱动LbFednc

• 可调正栅极驱动电压 UVLO 和固定负栅极驱动电 压 UVLOLbFednc

• 退饱和短路保护,带内部消隐时间LbFednc

• UVLO 或 OCP /FAULT 故障报警输出LbFednc

• 5V/10mA 供电输出,供如数字隔离器等LbFednc

• TTL 和 CMOS 兼容输入LbFednc

• SOIC-8,带可选热焊盘,用于高频和高功率场合LbFednc

• 内置去干扰滤波器,低传播延迟,典型 45ns 延 迟LbFednc

4、销量业绩:LbFednc

IVCR1401系列产品已累计销售数量达100k pcs, 销售订单金额近500万元,该产品已导入格力、美的等知名厂商,并广泛应用于工业电源、通讯电源、光伏逆变、汽车电子、消费电子等领域,随着SiC MOSFET的市场渗透率快速增加,IVCR1401的后续销售订单量将会持续快速增加。LbFednc

“中国IC设计成就奖” 评选并表彰业内优秀的中国 IC 设计公司、上游服务供应商和热门IC产品。2022年是行业评选的第20年,每年提名的热门IC产品都是工程师了解行业最新动态的绝佳资料,“芯品汇”栏目特地汇聚整理了今年提名产品的性能信息,希望能为工程师设计提供参考。更多提名产品,请访问:https://iic.eet-china.com/list.html。最终获奖产品将在4月20日-21日在上海国际会议中心盛大举行的2022国际集成电路展览会暨研讨会IIC Shanghai 2022期间揭晓,欢迎免费报名参观LbFednc

责编:Franklin
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