若设计者需求高质量的供电，又要节省电路板空间，PMIC就成为相当好的解决办法。本文将阐述PMIC如何导入图像传感器的应用，以及导入后的效果。

虽然眼镜没能做成，Mojo Vision在MicroLED显示技术上却实实在在的得到了积累。Mojo Lens搭载的就是一枚直径仅0.5mm的MicroLED，且像素密度做到了14000PPI，号称全球最高密度的MicroLED显示器。而目前Mojo Vision更新网站，称其技术可达到28000PPI。

东国大学的研究人员设计并合成了一种新型混合复合电极材料，可显著提高用于混合动力电动汽车(HEV)的超级电容器的性能。该复合电极由粉刷在氧化石墨烯(CCS@GO)上的硒化钴纳米棒-硒化铜多面体组成，具有“前所未有”的电化学性能。

台积电启动了大学 FinFET 计划，旨在为该行业培养未来的芯片设计人才，并推动 7nm 芯片研究。

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出采用新型L-TOGL™（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。

全球领先的且客户首选的给药设备公司提供面向市场的预充药笔式注射器，用于加速多种治疗药物的输送，随着给药解决方案的全球化整合，制药客户能够在全球多地区进行大规模生产

新型nRF7002完美补充Nordic蜂窝物联网和多协议无线解决方案，帮助物联网应用开发人员有效利用Wi-Fi 6的更高吞吐量和无处不在的家居和工业基础设施。Nordic的统一软件开发套件nRF Connect SDK和nRF7002 DK提供有力支持，使得设计工作事半功倍，帮助用户更便捷、更快速地推出新产品。

Wolfspeed于今日宣布计划将在德国萨尔州建造一座高度自动化、采用前沿技术的 200mm 晶圆制造工厂。

GaN技术距离其理论性能极限还有30倍的差距，因此仍有空间开发更好的GaN芯片。为了充分利用晶体管，设计工程师必须专注于智能拓扑、布局和热管理，而不是使用GaN的原始功率...

据科技日报消息，瑞士洛桑联邦理工学院研究人员将低功耗芯片设计、机器学习算法和柔性植入式电极相结合，制作出一种神经接口，可识别和抑制各种神经系统疾病症状。研究成果近日发表在《IEEE固态电路》杂志上。

器件符合AEC-Q200认证标准，具有D和V两种小型封装版本，ESR低至40 m，可在+125 C高温下工作

GaN和SiC都是新技术，而且正迅速带来多样化应用和设计创新。GaN和SiC器件正在形成特定市场，同时，在这些WBG技术之间也存在着部分的市场重叠...

据中国电信研究院官方最新消息，由中国电信研发的5G扩展型小基站国产化pRRU也已经研发成功，芯片和器件国产化率达到100%，实现了小基站产品国产化研发的首个里程碑，推动了小基站设备国产芯片的应用和发展。

期待已久，集成边缘应用的终极性能提升

今年一月各大厂商新推出的功率器件可圈可点，在能效、封装、散热、简化设计等方面都取得了不错的表现，同时研发重点也更着重聚焦于碳化硅功率器件在电动汽车上的应用。