英飞凌科技亚太有限公司与阳光电源股份有限公司今日在安徽省合肥市签署了合作伙伴框架协议备忘录。

英飞凌科技股份公司近日在2013应用电力电子会议暨展览会（APEC）中宣布推出DrBlade：全球第一款采用创新芯片嵌入式封装技术的集成式器件，它集成了DC/DC 驱动器及MOSFET VR功率级。

无线充电系统的运作受负载变化影响。移动设备为了缩短充电时间，充电过程中所需要的电流较过去有所增加。对于较大功率的设备，Qi标准的5W功率显得不够使用。因此，市场发展的重点将着眼于实现更大功率。IIC China 2013展会上，富达通科技公司推出了大功率无线充电解决方案，吸引了众多与会者的眼球。

意法半导体（ST）推出电池剩余电量指示芯片，有效提升移动设备的可靠性及使用寿命.创新的电池电量计可准确地监控电池剩余电量，且不受电池老化和使用方式的影响.

当靠近IC 4挥舞魔棒时，触发器的输出会翻转。

他们尝试利用具备更高击穿电压及更高效电源转换性能的氮化镓晶体管来替代硅MOSFET器件,其目标是开发出可以在严峻环境下工作并具备更高性能的电子器件。宜普电源转换公司(EPC)于2010年为电源转换市场开发出了第一代增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)。

IIC China 2013展会上，金领导科技带来了可控制1700V/1200A级IGBT和面向风力、太阳能发电的IGBT栅极驱动板，以及6轴/9轴空中鼠标、迷你语音+空鼠+键盘遥控器、Android智能电视遥控器等最新技术方案。

光耦是高压隔离设计中经常使用的器件。精心设计的电路板，可以对输入对输出起到高达7500V的电气隔离。光耦的好坏界定，可以由电流传输比和耐压值来确定。

人们偶尔会碰到一款很简单、实用、功能性强的装置，然后很乐意地把它归置到已经超载的工作包中，直到有一天由于未知的设计因素而坏掉。这里，我是指一个便宜的USB电源连接器。

器件采用芯片级MICRO FOOT 1mm x1mm和1.6mmx 1.6mm封装，在4.5V下的导通电阻低至20m欧姆.

Vishay新款表面贴装TRANSZORB?双向TVS具有3kW的高浪涌能力,器件采用SMC DO-214AB封装.

Vishay的新款表面贴装PAR TVS器件具有5kW的高浪涌能力,器件采用DO-214AB封装和+185℃的工作结温.

Vishay Siliconix 推出业内率先采用PowerPAK SC-75和SC-70封装的功率MOSFET,新款100V N沟道TrenchFET功率MOSFET采用ThunderFET技术，在1.6mm x 1.6mm和2mm x 2mm占位面积内实现83m欧姆的低导通电阻.

瑞萨电子推出锂电池充电控制IC，可支持大电流快速充电.2.47毫米 × 2.47毫米超小封装，造型小巧,轻松实现高效2A充电.

LYTSwitch IC将PFC和CC集成到单个开关级中，这样能将典型应用中的效率提高到90%以上，使功率因数大于0.95 ， 并轻松满足EN 61000 - 3 - 2C 对总谐波失真(THD)的要求。