随着碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带器件的推出，电力电子技术发生了翻天覆地的变化。事实上，这些材料的特性使其特别适合在高压和高开关频率下所运行的应用，并能提供比最先进的硅基功率器件更好的效率和散热管理。

GaN HEMT的保护电路必须比硅基MOSFET中使用的传统短路和过流保护方法更快。

市场调研数据显示，超过80%的用户对电动汽车的充电速度和续航里程表示不满，虽然新能源汽车市场在近几年飞速变化，但距离满足消费者心理预期的更高使用需求，尚有较大提升空间。预测数据显示，到2025年，800V SiC的市场占比将达到15%左右；不过在电动汽车全球发展提速的大趋势下，这一预测节点也许会提前到来。

尽管化学机械抛光(CMP)有一段时期一直是最常用的基板抛光技术，但随着一种新引进的技术——等离子体抛光干式蚀刻(PPDE)被提出，可望克服CMP带来的一些限制。

2023年2月28日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出车载直流无刷电机栅极驱动IC[1]---“TB9083FTG”，该IC适用于电动转向助力系统（EPS）、电动制动系统和线控换档系统等应用。产品于今日开始批量出货。

围绕电动汽车和电池的最大问题之一，是如何提高单次充电的容量和续航里程。而围绕续航能力有一些关键绩效指标，同样围绕电池的效率、加速和快速充电能力也有一些关键绩效指标。我们今天看到的趋势是锂离子电池，但在未来，我们将看到向固态的转变。这主要是由固态电池带来的重量减轻和密度增加所推动的，而重量是影响车辆续航能力的一个关键因素。

近年新能源碳中和相关概念法规逐步落地，因应全球消费性产品及电动汽车(EV)对高功率、高流高压测试需求增长，第三代半导体GaN(氮化镓)与SiC(碳化硅)材料为新主流。在供应链中每个组件的质量把关都是关键，制程测试准确度足以影响整体PMIC，筑波科技与泰瑞达携手合作推广Eagle Test Systems (ETS)，基于20年无线通信及半导体测试经验，满足客户客制化需求。

本文概述了FPGA如何推进纵深防御方法的发展以开发安全应用程序，这是在第四次工业革命的推动下，满足IoT和边缘计算迅速增长的需求的必经之路。本文介绍了安全功能在硬件、设计和数据中的作用，以及如何在安全性的三个要素（机密性、完整性和真实性）基础上构建应用程序。

如今，出行生态系统不断地给汽车设计带来新的挑战，特别是在电子解决方案的尺寸、安全性和可靠性方面提出新的要求。此外，随着汽车电控制单元 (ECU) 增加互联和云计算功能，必须开发新的解决方案来应对这些技术挑战。

动态特性是功率器件的重要特性，在器件研发、系统应用和学术研究等各个环节都扮演着非常重要的角色。故对功率器件动态参数进行测试是相关工作的必备一环，主要采用双脉冲测试进行。

小型高边和低边开关（8通道）

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出采用新型L-TOGL™（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。

Wolfspeed于今日宣布计划将在德国萨尔州建造一座高度自动化、采用前沿技术的 200mm 晶圆制造工厂。

GaN技术距离其理论性能极限还有30倍的差距，因此仍有空间开发更好的GaN芯片。为了充分利用晶体管，设计工程师必须专注于智能拓扑、布局和热管理，而不是使用GaN的原始功率...