Diodes为MOSFET推出节省空间、高热效率的TOLL(PowerDI 1012-8)封装

作为半导体制造业的关键参与者，业界领先的ALD设备制造商和服务商青岛四方思锐智能技术有限公司日前重磅亮相2021年中国集成电路制造年会（CICD），向业界展示了ALD技术在功率半导体制造环节的创新应用，共同探讨新开局新挑战下的行业发展新机遇。

由忱芯科技（UniSiC）主办的碳化硅功率半导体及应用研讨会在苏州成功召开，横跨芯片、材料、封装及应用领域的多位国内外顶尖的宽禁带半导体技术带头人受邀参会，围绕宽禁带半导体卡脖子关键技术难题分享观点，展开讨论。值此盛会，泰克科技与忱芯科技达成了全范围的战略合作联盟，双方将深度整合资源，优势互补，围绕宽禁带功率半导体测试领域开展全产业链的产品合作，为客户解决宽禁带半导体测试挑战。

增加GaNSense技术，全新GaNFast氮化镓功率芯片通过实时智能传感和保护，为40亿美元的手机充电器和消费市场带来最高效率和可靠性

可定制器件采用小型两件式结构，工作温度达+105℃，适用于各种恶劣商用环境

对UnitedSiC的收购扩大了Qorvo在快速增长的电动汽车（EV）、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源市场的影响力。UnitedSiC公司将成为Qorvo基础设施和国防产品（IDP）业务之一，将由Chris Dries博士领导，他曾是UnitedSiC公司的总裁兼首席执行官，现任Qorvo功率器件解决方案事业部总经理。

对于GaN功率器件的制造商而言，扩充产能是当前的重中之重。对此，思锐智能推出了业界领先的量产型ALD沉积设备——Beneq Transform™系列，凭借成熟、稳定的多片沉积工艺，能够为高端应用的行业客户提供卓越的沉积镀膜生产效率，以及传统工艺无法企及的镀膜均匀性、纳米级膜厚精准控制等优势，进而助力产能扩充的需求。

最高品质的溅射钌触点开关，适用于低电平“干性”切换

目前碳化硅功率晶体的发展主要在于几个方向：1.降低单位晶粒面积下的通态电阻；2.提高功率晶体门极可靠度3.在不影响驱动位准的大前提下降低驱动电压位准。

为了实现在图腾柱PFC使用常见的开关器件，本文介绍预充电电路的解决方案。 相较采用宽禁带半导体，此方案的功率半导体器件较普遍且容易取得，提供给使用者做为设计参考。

低电流范围内电气表征的典型问题是：必需确定低功率/低漏流MOSFET在不同条件下可实现的器件性能。

相较于国外厂商，国内厂商的SiC MOSFET产品性能到底如何？派恩杰半导体采用自主设计的Buck-Boost效率测试平台针对650V 60mΩSiC MOSFET高温性能进行了对比测试。本文分享测试结果。

硅技术助力多领域创新发展

英飞凌推出了一款车规级基于EDT2技术及EasyPACK 2B半桥封装的功率模块，这款模块具有更高的灵活性及可扩展性。

在电力电子领域，工程师一直以来有着6大诉求：更优秀的性能、更高的能效、更好的成本、更强的鲁棒性、更多的设计裕量，以及设计灵活性。