碳化硅功率器件将快速成为车用半导体产业的明日之星。本刊特别邀请到在第三类半导体研究领域顶尖学者崔秉钺教授，为本刊撰文介绍碳化硅功率器件的发展概况与技术趋势，与读者分享此一重要科技领域的学术研究进展。

近日，黄山芯微电子股份有限公司（简称“芯微电子”）的招股说明书成了业内议论的话题。研发人员为88人，占比11.1%，本科学历的员工人数仅为16人，占比2.02%。却被列为国内功率半导体市场的第二梯队，即研发设计制造能力相对突出，且少数突破了功率半导体芯片技术瓶颈的公司。网友提出质疑：这个大专学历占多数的88人研发团队是如何做到的？

本设计实例中所开发这个电路是为了解决我在AB类功率放大器设计中所遇到的一些缺点，同时保留了其所有优点。它将此前某2W音频放大器设计的功率水平推向了新的极限。

在本系列的前几篇文章中，我们介绍了电动车快充系统的主要系统要求，概述了系统开发过程中的关键阶段以及认识了参与设计25kW SiC直流快充系统的工程师团队。现在，让我们更深入了解25kW SiC快充设计。在第一、第二部分中我们聊了聊所选择的规格、拓扑和市场背景，今天我们将着重于ACDC转换部分的仿真，同时还有在之前被称为“三相有源整流”部分，简称PFC。

英飞凌宣布推出EiceDRIVER F3 （1ED332x）增强型系列栅极驱动器，进一步壮大其EiceDRIVER增强型隔离栅极驱动器的产品阵容。

为了满足绿色出行的要求，业界必须以提高能源效率为主要目标，进行新技术开发。顺应这一发展趋势，英飞凌科技即将推出采用XHP 2封装的CoolSiC MOSFET和.XT技术的功率半导体，这款专门定制的解决方案旨在满足轨道交通市场的需求。

尽管碳化硅(SiC)具有开关速度更快和效率更高等一系列优势，但它也带来了一些设计挑战，我们可以通过选择合适的栅极驱动器来予以解决。

LD801是一款适用于12MHz以下窄带、高速或宽带中频电力线载波通信（PLC）的高性能线路驱动（功放）芯片，最大输出功率24dBm。

国内首款带DESAT保护功能并兼容光耦驱动的IGBT/SiC隔离驱动器，5kVrms隔离电压和高达10kV的隔离浪涌电压，CMTI超过100kV/us

IVCR1401是一款4A单通道高速智能栅极驱动器，能够高效，安全地驱动SiC MOSFET和IGBT， 对比传统的栅极驱动，8引脚设计更简洁，使用更方便，能大大节约开发时间成本。

SGT75T60SDM1P7产品是士兰微电子采用第三代场截止(Field Stop III)工艺制作的绝缘栅双极型晶体管，具有较低的导通损耗和开关损耗、快速关断能力、宽反向安全工作区范围等特点。该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC等领域。

SDM15G60TA是一款具有高可靠性、结构非常紧凑的低功耗智能功率模块，其内部集成栅极驱动芯片、6个IGBT和6个FRD。栅极驱动芯片采用了新一代先进BCD工艺，能够提升整机可靠性和参数精度，同时内置欠压、短路、过温等各种保护功能，提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。IGBT为Silan全新一代低功耗FS4+ IGBT，优化开关损耗，提升功率密度。主要适用于空调压缩机、洗衣机电机、小功率变频器等变频控制。

碳化硅肖特基功率二极管在开关电源电路中的应用，更好的让电路工作在高频状态，减小电路中电感等元件体积重量，由于碳化硅肖特基二极管优良的耐温性能和低损耗特性，让电路中热沉的体积重量得到改善，便于优化电路的热设计，与此同时，应用了SOD123封装形式的该款器件，为功率二极管小型化提出了解决方案，更好的贴合对器件小型化和产品功率密度改善有要求的客户需求。该产品可应用于高频ACF，小功率GaN适配器，驱动部分自举电路，高频DC/DC电路等应用场合。G51XT碳化硅肖特基二极管已进入市场，有良好的市场反馈。

捷捷微电 (上海) 科技有限公司已推出的 N 沟道 100V 含自有先进平台 JSFET 系列中的 JMSH1001ATL ，采用了经 AEQ-101 验证、具超优热导性能的 PowerJE10x12 (TOLL) 创新型封装。

纳芯微NSi6602-Q1是国内首款车规级高压隔离半桥驱动芯片，该芯片集高隔离耐压、高可靠性、高集成度、低延时、灵活封装配置等特性于一体，可应用在车载电源OBC/DCDC、车载电驱、充电桩、光伏储能、数字电源等泛能源重点发展领域。