1. 高频、高功率密度；2. 高边同步整流自供电，不需要辅助绕组，设计简洁；3. 无反向恢复电荷，效率更高；4. 更利于合封集成

氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)这两种新器件正在推动电力电子行业发生重大变化，它们在汽车、数据中心、可再生能源、航空航天和电机驱动等多个行业取得了长足的进步。在由AspenCore集团举办的PowerUP Expo大会上，演讲嘉宾们深入探讨了包括GaN和SiC在内的宽禁带(WBG)器件的技术优势以及发展趋势。

Diodes 公司推出 DGD0579U 高侧和低侧栅极驱动器。这款高频装置内建自举式二极管，能够在半桥配置中驱动两个通常用于控制马达及 DC-DC 电力传输的 N 通道 MOSFET。

超级结器件降低传导和开关损耗，提高通信、服务器和数据中心应用能效

在同时考虑行驶里程和成本因素时，仍然需要以电机逆变器为焦点不断创新，旨在进一步提高电动汽车的效率和行驶里程。作为电机逆变器中价格最昂贵、功能最重要的元件，SiC功率开关需要接受精准控制，以充分发挥额外的开关成本的价值。

InnoSwitch3产品系列阵容再度扩大，新器件不仅能显著减少元件数量，还可大幅提高电动汽车和工业应用的效率

功率转换器的性能通常归结到效率和成本上。实际示例证明，在模拟工具的支持下，SiC FET技术能兼顾这两点。

下一代氮化镓功率芯片将加速充电更快，驾驶距离更远的电动汽车普及提前三年来到，并减少20%道路二氧化碳排放

安森美（onsemi）在汽车应用领域有着很强的优势。该公司自2021年8月份更名并启用新logo后，集中精力发展智能电源和智能感知技术，用来支持汽车和工业增长的大趋势。日前，该公司召开汽车方案媒体交流会，带我们了解汽车电子IC在这两个方面的技术发展趋势。

大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于英飞凌（Infineon）SiC MOSFET和驱动器的11kW DC-DC转换器方案。

“2021第三代半导体产教融合发展论坛”（第七届国际第三代半导体论坛暨第十八届中国国际半导体照明论坛分论坛）于2021年12月7日在深圳会展中心隆重举行。

继成功推出超级充电桩HYC150和HYC300之后，alpitronic近日再次宣布推出业界领先的50kW直流充电桩HYC50。该产品通过采用英飞凌的EasyPACK CoolSiC MOSFET 1B和2B模块以及EiceDRIVER X3驱动器来实现。

宽带隙(WBG)器件由于物理特点，机身二极管压降较高，因此对空转时间和打开/关闭跳变的控制要求要更严格。准确的电源和测量测试对表征这些高压器件非常关键，以便能够及时制订正确的设计决策。

未来的特种技术需要怎样的芯片制造工艺？