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测试与测量
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测试与测量
《Nature》上的较量,南大团队实锤证伪美国“室温超导”
近日,据南京大学官网消息,该校物理学院闻海虎教授团队领衔在全球顶级科研期刊《Nature》(《自然》)上发表了题为“Absence of near-ambient superconductivity in LuH2±xNy(LuH2±xNy在近常压下无超导电性)”的研究论文,否定了美国罗切斯特大学研究团队提出的镥-氢-氮化合物中的室温超导现象。
综合报道
2023-05-17
安全与可靠性
数据中心
测试与测量
安全与可靠性
适用于广泛功率转换应用的功率GaN器件可靠性测试
在本文中,我们将重点关注如何验证GaN可靠性并重点介绍来自GaN器件的可靠性数据。
Sonu Daryanani
2023-05-16
测试与测量
嵌入式系统
安全与可靠性
测试与测量
并联GaN HEMT之间的损耗分布
如果存在任何的不平衡,都可能会导致效率损失和开关损坏。
Saumitra Jagdale
2023-05-16
功率器件
安全与可靠性
嵌入式系统
功率器件
派克汉尼汾推出适用于电动汽车冷却系统的ECH软管
派克汉尼汾公司Parflex事业部推出电动冷却软管(ECH),以扩展其软管系列产品。
派克汉尼汾
2023-05-16
汽车电子
新能源
模拟/混合信号/RF
汽车电子
车载以太网“无损”测试,为智能汽车传输网络提速
汽车以太网正在成为新一代智能网联汽车信号互联的主干道,主血管。如何准确的对汽车以太网进行测试,为智能汽车传输网络提速,保证汽车自动驾驶和智能座舱系统的安全运转,成为现代汽车工程师的头等难题。
泰克科技
2023-05-16
通信
网络/协议
汽车电子
通信
高级负载诊断功能助力缩短24VDC配电的工厂停机时间
如果24VDC配电出现问题,由于缺乏负载诊断数据,通常需要花费较长时间进行调试,其中包含基本步骤(如“电源正常的LED是绿色还是红色?”)或侵入性调查(如模块拆卸),这会增加停机时间并降低生产力。
德州仪器
2023-05-15
模拟/混合信号/RF
电源管理
测试与测量
模拟/混合信号/RF
有关于光电倍增器的一些沉思
我一直觉得“光电倍增器”一词是错误的说法。每个入射光子都会引发一连串的事件,导致大量电子到达阳极。因此,这更像是一个电子倍增的过程...
John Dunn
2023-05-15
分立器件
测试与测量
放大/调整/转换
分立器件
大联大诠鼎集团推出基于立锜科技产品的高/低压侧双向电流和功率监测方案
大联大控股宣布,其旗下诠鼎推出基于立锜科技(Richtek)RT6056/RTQ6056(工业级)的高/低压侧双向电流和功率监测方案。
大联大
2023-05-11
传感器/MEMS
测试与测量
模拟/混合信号/RF
传感器/MEMS
当前已知最快速率,硅基自旋量子比特实现1.2GHz超快调控
近日,EDN小编从中国科学技术大学官网获悉,该校郭光灿院士团队在硅基半导体量子计算研究中取得重要进展,在硅基锗量子点中实现了自旋量子比特操控速率的电场调控,以及自旋翻转速率超过1.2 GHz的自旋量子比特超快操控,该速率是国际上半导体量子点体系中已报道的最高值。
综合报道
2023-05-10
通信
测试与测量
制造/工艺/封装
通信
小心英特尔CPU新的安全漏洞,尚无100%解决问题的方案
据BleepingComputer消息,近日在Arxiv.org上发表的一篇技术论文揭示了一种针对多代英特尔CPU的攻击手法——利用新的侧信道攻击,让数据通过EFLAGS寄存器泄露。该攻击是由清华大学、马里兰大学和中国教育部计算机实验室(BUPT)的研究人员发现的。
综合报道
2023-05-09
安全与可靠性
数据中心
测试与测量
安全与可靠性
DC-DC转换器及其在电动汽车中的应用
DC-DC转换器是电动汽车(EV)的重要组成部分,可改变电压值以运行需要低或高直流电压的不同应用。
Venkata Satya Kosuru
2023-05-08
汽车电子
嵌入式系统
安全与可靠性
汽车电子
接地回路的简介
不正确的接地会在数据记录、数据采集以及测量和控制系统中产生问题。
Terry Nagy
2023-05-08
EMC/EMI/ESD
无线技术
测试与测量
EMC/EMI/ESD
泰克参加【第四届半导体青年学术会议】,助力半导体与集成电路行业技术发展和革新
在【第四届半导体青年学术会议】期间,泰克将集中展示最新测试方案,为神经形态器件与脑类计算、低维半导体材料测试、半导体量子器件测试等前沿研究提供全面领先解决方案。
泰克
2023-05-06
测试与测量
人工智能
新材料
测试与测量
全新测量、控制、试验管理平台软件——imc STUDIO 2023
用户界面更易用,工作流程更高效
imc
2023-05-06
测试与测量
新品
测试与测量
分析高压SiC MOSFET的鲁棒性和可靠性
在将SiC MOSFET安装到关键任务应用之前,应对其可靠性和鲁棒性进行评估。本文围绕1200V DMOSFET技术的可靠性和鲁棒性展开,以便更好地理解系统设计的权衡,以提高效率和可靠性。
Saumitra Jagdale
2023-04-28
功率器件
安全与可靠性
测试与测量
功率器件
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