广告

5nm工艺麒麟1020流片成功,每平方毫米1.713亿个晶体管

2020-03-24 11:08:03 网络整理 阅读:
据悉华为麒麟1020将采用ARM Cortex-A78架构,得益于5nm工艺,麒麟1020每平方毫米可容纳高达1.713亿个晶体管,依旧采用集成5G芯片,比高通骁龙865外挂X55基带功耗低,其性能比麒麟990提升50%,而高通骁龙865较前代骁龙855性能只提升了25%。

2019年年底就有供应链消息称,台积电在积极备战下一代芯片5nm EUV,华为目前正考虑将5nm工艺用在其下一代旗舰芯片麒麟1020上,预计2020年第三季度上市。dm3ednc

@手机晶片达人 爆料称,台积电已经开始流片麒麟1020,有望于8月大规模交付,然后和往年时间差不多,由华为Mate 40系列首发,大概9月份正式发布上市。dm3ednc

dm3ednc

据悉华为麒麟1020将采用ARM Cortex-A78架构,得益于5nm工艺,麒麟1020每平方毫米可容纳高达1.713亿个晶体管,依旧采用集成5G芯片,比高通骁龙865外挂X55基带功耗低,其性能比麒麟990提升50%,而高通骁龙865较前代骁龙855性能只提升了25%。不出意外的话麒麟1020处理器仍将由华为Mate 40/Pro系列手机首发,预计将在今年9月份发布。dm3ednc

从现有资料判断,5nm产能的最大头由苹果占据,用于今秋的iPhone的A14处理器,其他产能被华为海思麒麟1020处理器占据,而高通系的5nm芯片高通骁龙875则要等到2021年才能量产。dm3ednc

台积电5nm晶体管密度比7nm提高88%

据了解,台积电5nm工艺会大规模集成EUV极紫外光刻技术,此外,一篇论文中还披露了一张晶体管结构侧视图。dm3ednc

dm3ednc

WikiChips经过分析后估计,台积电5nm的栅极间距为48nm,金属间距则是30nm,鳍片间距25-26nm,单元高度约为180nm,照此计算,台积电5nm的晶体管密度将是每平方毫米1.713亿个。dm3ednc

相比于初代7nm的每平方毫米9120万个,这一数字增加了足足88%,而台积电官方宣传的数字是84%。dm3ednc

dm3ednc

虽然这些年摩尔定律渐渐失效,虽然台积电的工艺经常面临质疑,但不得不佩服台积电的推进速度,要知道16nm工艺量产也只是不到5年前的事情,那时候的晶体管密度才不过每平方毫米2888万个,5nm已经是它的几乎六倍!dm3ednc

另外,台积电10nm工艺的晶体管密度为每平方毫米5251万个,5nm是它的近3.3倍。dm3ednc

(责编:Demi Xia)dm3ednc

  • 微信扫一扫
    一键转发
  • 最前沿的电子设计资讯
    请关注“电子技术设计微信公众号”
  • FinFET交棒GAA?关于GAA制程技术必须知道的事 现在正是FinFET交棒给GAA,以协助半导体产业提升芯片微缩至下一阶段的时候了。这一转型道路上可能不会一帆风顺,因为要打造GAA设计比起FinFET或平面晶体管更复杂得多了...
  • 探访安森美高性能图像传感器新“芯”品 深圳2022高交会期间举办的深圳机器视觉展上,笔者前往展馆实地探访了安森美的一系列高性能新产品。这次安森美带来了XGS系列CMOS图像传感器,特别是基于旗舰产品XGS 45000(4470万像素8192x5460)、XGS 5000(530万像素 2592 x 2048)、XGS12000(1200万像素4096x3072)、XGS 16000(1600万像素4000x4000)等的参考设计。
  • 科普贴 | 用于5G的射频滤波器、其制造挑战和解决方 射频滤波器是如何工作的,为什么它们如此重要,芯片制造商在制造蜂窝器件时面临的挑战,以及泛林如何帮助解决这些问题。
  • OEM制造生命周期关键阶段之安全性入门 虽然产品生命周期中的OEM阶段比IC生产的OEM阶段要短一些,但每个阶段的安全风险与芯片供应商面临的风险却很相似,且同样影响深远。幸运的是,OEM可以在其芯片供应商建立的安全基础上进行构建,并重复使用多种相同的技术。
  • 使用双PWM、采用GPS规范的简单10MHz参考信号 我最近在为一项新设计进行实验,其中需要使用函数发生器。尽管新的函数发生器具有相当好的频率容差规格,但我需要获得更高的精度。用频率发生器、任意波形发生器和频率计数器获得更高精度的方法,是使用许多这些测试仪器上所提供的10MHz参考输入。由于没有这样的参考,而且我最近一直在玩Arduino Nano(下文简称Nano),我决定看看是否可以围绕Nano构建一个这样的设计。
  • IC制造生命周期关键阶段之安全性入门 本文包括两部分,我们主要探讨芯片供应商和OEM之间的相互关系,以及他们为何必须携手合作以完成各个制造阶段的漏洞保护。第一部分指出了IC制造生命周期每个阶段中存在的威胁,并说明了如何解决这些威胁。第二部分着重说明了OEM所特有的安全风险,并指出了最终产品制造商和芯片供应商如何承担各自的责任。
  • 俄罗斯首款国产笔记本电脑搭载自主研发“Baikal-M”处 Promobit公司董事Maxim Kposov在接受采访时表示,这款笔记本电脑主要面向企业市场和国家参与的公司。
  • 系统级封装出现故障——凶手会是谁? IC Repackage移植技术,可从SiP、MCM等多芯片或模块封装体中,将欲受测之裸片,无损伤的移植至独立的封装测试体,避开其他组件的干扰,进行后续各项电性测试,快速找到IC故障的元凶是谁。
  • 运用扩展DTCO框架评估半导体工艺环境足迹 比利时研究机构imec开发了一种解决方案,透过扩展其设计—技术协同优化(DTCO)框架,可以估算当前和未来逻辑CMOS工艺技术的能耗、用水量和温室气体排放量。
  • SRII重磅推出两款ALD新品,满足泛半导体应用多功能性和 原子层沉积(ALD)工艺被认为是逻辑和存储半导体器件微缩化的重要推动力。
  • 罗克韦尔自动化石安:智能制造不是软硬件技术的叠加 罗克韦尔自动化(中国)有限公司总裁石安发表《颠覆:数字化重塑产业生态价值链》主题演讲。发言中,石安分享了罗克韦尔自动化运用数字化技术颠覆商业模式的成功案例,并期待能够携手战略合作伙伴共同打造健康的智能制造产业生态价值链,迈向数字文明新时代。
  • 派恩杰SiC MOSFET批量“上车”,拟建车用SiC模块封装产 派恩杰的SiC MOSFET产品在新能源汽车OBC应用验证取得了重大突破,获得了新能源汽车龙头企业数千万订单,并已开始低调供货。
广告
热门推荐
广告
广告
EE直播间
在线研讨会
广告
广告
面包芯语
广告
向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了