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台积电2nm将采纳米片晶体管架构,速度功耗全面提升

2022-06-28 09:31:26 蔡铭仁,EE Times Taiwan 阅读:
台积电于2022年北美技术论坛正式发表2nm制程将采用纳米片晶体管架构,全面提升效能及功耗效率。

半导体进入3nm、2nm时代,且业界越来越追求整合,致力让一颗IC能具备的功能越来越多。因应趋势,日前如三星(Samsung)、英特尔(Intel)、台积电等半导体大厂,不约而同宣布2022或2023年开始,主力架构将从鳍式场效晶体管(FinFET)逐渐转移至类纳米片(nanosheet)架构。台积电于2022年北美技术论坛上,更正式发表2nm制程将采用纳米片晶体管架构,全面提升效能及功耗效率。RHvednc

据台积电分享的数据,2nm采用纳米片晶体管架构,在相同功耗下指令周期增加10到15%;若相同速度下,功耗亦可降低25到30%;预计2025年开始量产。台积电宣称,这将使效能及功耗效率提升一个等级,以协助客户实现下一代产品的创新,除了移动运算的基本版本,2nm技术平台也会涵盖高效能版本及完备的小芯片整合解决方案。RHvednc

随着半导体制程越来越精细,闸极长度(Gate length)越来越小,闸极下方的氧化物越薄,当来到22nm以下的制程,漏电在MOSFET组成的传统架构上变得更难克服。3D构造的FinFET则解决了这样的问题,FinFET将源极(S)和汲极(D)间拉高变为立体结构,让闸极像是包住源极跟汲极,以此加大闸极与通道间的接触面积,降低漏电及功耗,现成为16nm、10nm、7nm、到5nm制程的主流。RHvednc

当制程缩小,空间越来越小,鳍的数量也会随之减少,持续提升驱动电流会更困难;而纳米片架构,就是其中一个被提出讨论的解方。纳米片架构将垂直的鳍转为水平,透过垂直堆栈纳米片,实现更大的有效导电通道宽度;再者,闸极360度接触信道的结构,让导电信道被高介电系数的金属闸极围绕,可实现更佳的闸极信道控制,并缩短信道长度。RHvednc

RHvednc

台积电TSMC FINFLEX架构可望提升芯片速度、降低功耗。 (来源:截自台积电官网)RHvednc

此外,台积电在论坛中也表示3nm预计于今年下半年量产,并将搭配TSMC FINFLEX架构。其中,TSMC FINFLEX架构提供多样化的标准组件选择,包括3-2鳍结构支持超高效能、2-1鳍结构支持最佳功耗效率与晶体管密度、2-2鳍结构则是支持平衡两者的高效效能,能协助客户完成符合其需求的系统单芯片设计,各功能区块采用最优化的鳍结构,支持所需的效能、功耗与面积,同时整合至相同的芯片上。RHvednc

台积电同时展示客户所推出的两项应用系统整合芯片堆叠 (TSMC-SoIC)解决方案的突破性创新,包括全球首颗以TSMC-SoIC为基础的中央处理器(CPU),采CoW (Chip-on-Wafer)技术堆栈三级快取静态随机存取内存;以及采用WoW (Wafer-on-Wafer)技术,堆叠于深沟槽电容芯片之上的智能处理器。支持CoW 及WoW 的7nm芯片已量产, 5nm技术支持预计于2023年完成。另,为了满足客户对系统整合芯片及其他台积公司3DFabric系统整合服务的需求,全球首座全自动化3DFabricTM晶圆厂预计于2022 年下半年开始生产。RHvednc

台积电北美技术论坛连两年转战线上后,今年恢复实体论坛,于美国加州圣塔克拉拉市举行。台积电总裁魏哲家表示,「我们身处快速变动、高速成长的数字世界,对于运算能力与能源效率的需求较以往增加的更快,为半导体产业开启了前所未有的机会与挑战。值此令人兴奋的转型与成长之际,我们在技术论坛揭示的创新成果彰显了台积公司的技术领先地位,以及我们支持客户的承诺。」RHvednc

责编:Demi
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