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Cadence发布面向TSMC 3nm工艺的112G-ELR SerDes IP展示

2023-05-19 Cadence 阅读:
3nm 时代来临了!Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技术研讨会期间发布了面向台积电 3nm 工艺(N3E)的 112G 超长距离(112G-ELR)SerDes IP 展示,这是 Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列产品的新成员。

3nm 时代来临了!Cadence 在 2023 年 TSMC 北美技术研讨会期间发布了面向台积电 3nm 工艺(N3E)的 112G 超长距离(112G-ELR)SerDes IP 展示,这是 Cadence 112G-ELR SerDes IP 系列产品的新成员。在后摩尔时代的趋势下,FinFET 晶体管的体积在 TSMC 3nm 工艺下进一步缩小,进一步采用系统级封装设计(SiP)。通过结合工艺技术的优势与 Cadence 业界领先的数字信号处理(DSP)SerDes 架构,全新的 112G-ELR SerDes IP 可以支持 45dB 插入损耗,拥有卓越的功耗、性能、面积(PPA)指标,是超大规模 ASIC,人工智能/机器学习(AI/ML)加速器,交换矩阵片上系统(SoCs)和 5G 基础设施应用的理想选择。3U0ednc

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Cadence 112G-ELR SerDes  TSMC 3nm 工艺环境下的眼图(106.25 Gbps PAM43U0ednc

ELR SerDes PHY 符合 IEEE 和 OIF 长距离(LR)标准,在基础规格之外提供了额外的性能裕度。上方图片展示了三个张大的眼图,它们在 PAM4 模式下具有良好的对称性,将四个信号电平分开。3nm 演示展示了 E-10 级的卓越误码率(BER)性能以及 39dB bump 间通道,与 28dB Ball 间插损误码率小于 1E-4 的标准规格相比提供了充足的性能余量。3U0ednc

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TSMC 3nm 工艺环境下的 Cadence 112G-ELR SerDes 测试板3U0ednc

112G-ELR SerDes IP 同时支持中距离(MR)和超短距离(VSR)应用,实现不同信道更灵活的功耗节省。NRZ 和 PAM4 信号下的数据传输速率从 1G 到 112G,实现背板,直连线缆(DAC),芯片间以及芯片到模块的可靠高速数据传输。3U0ednc

SerDes IP 采用领先的基于 DSP 的架构,通过最大可能性序列检测(MLSD)和反射抵消技术实现损耗及反射信道的系统稳定。MLSD 技术可以优化 BER,提供更强大的突发性错误处理能力。通过专有的实现技术,Cadence 能确保 MLSD 的功耗开销最小。反射消除技术消除了具有实际走线和连接器的产品环境中的杂散、远距离反射,从而提供稳健的 BER 结果。3U0ednc

3nm 工艺下的 Cadence 112G-ELR SerDes 解决方案进一步强化了我们在高性能互联 IP 领域的领导力,是大规模数据中心的理想选择,客户也可以从 TSMC 的 3nm 工艺中获得更显著的功耗和性能优化,是目前在 PPA 和晶体管领域最先进的技术。3U0ednc

如需了解更多 112-ELR SerDes 的相关内容,请访问:https://www.cadence.com/en_US/home/tools/ip/design-ip/112g-elr-56-lr-pam4-serdes/112g-elr-pam4-serdes.html3U0ednc

关于 Cadence3U0ednc

Cadence 是电子系统设计领域的关键领导者,拥有超过 30 年的计算软件专业积累。基于公司的智能系统设计战略,Cadence 致力于提供软件、硬件和 IP 产品,助力电子设计概念成为现实。Cadence 的客户遍布全球,皆为最具创新能力的企业,他们向超大规模计算、5G 通讯、汽车、移动设备、航空、消费电子、工业和医疗等最具活力的应用市场交付从芯片、电路板到完整系统的卓越电子产品。Cadence 已连续九年名列美国财富杂志评选的 100 家最适合工作的公司。如需了解更多信息,请访问公司网站www.cadence.com3U0ednc

责编:Franklin
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