广告

Vishay扩大0402、0603和0805封装MC AT精密系列薄膜片式电阻的阻值范围

2022-01-27 Vishay 阅读:
汽车级器件阻值高达7.5M,温度系数低至±25ppm/K,公差仅为±0.1%

宾夕法尼亚、MALVERN2022127—日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,强化MC AT精密系列汽车级薄膜片式电阻,扩大0402、0603和0805封装器件的阻值范围。Vishay Beyschlag器件阻值高,温度系数(TCR)低至±25ppm/K,公差仅为±0.1%,并具有薄膜电阻稳定性。ERTednc

ERTednc

MCS 0402 AT、MCT 0603 AT和MCU 0805 AT的阻值分别由47扩大到1M、2M和7.5M,扩充之前强化的MCA 1206 AT,其阻值达到10M。高阻值小型器件可用来取代体积较大的器件,不需要串联多个低阻值电阻,有助于节省空间并降低成本。ERTednc

该器件具有优异的耐潮能力,出色的温度循环稳定性,高耐硫性符合ASTM B 809标准,在汽车、工业、医疗和通信设备等恶劣环境下性能非常稳定。典型应用包括DC/DC转换器、DC-Linking和分压器,适用于电池管理系统、车载和壁挂充电器、电源逆变器、电子压缩机和跨阻放大器网络。ERTednc

MC AT精密系列电阻工作电压为50V至200V,+70°C环境温度下额定功率100mW至400mW,工作温度-55°C至+155°C。器件通过AEC-Q200认证,符合RoHS标准。ERTednc

器件规格表ERTednc

ERTednc

增强型电阻器现可提供样品并已实现量产。ERTednc

VISHAY简介ERTednc

Vishay是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.。Vishay Intertechnology, Inc.是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站www.vishay.comERTednc

The DNA of tech.是Vishay Intertechnology的商标。ERTednc

责编:Franklin
  • 微信扫一扫
    一键转发
  • 最前沿的电子设计资讯
    请关注“电子技术设计微信公众号”
  • 新型汽车功率器件引起有益连锁反应 新功率器件正大量涌现,我们恭逢其盛;随着汽车的动力总成、信息娱乐系统、配件等日益电气化,对于需要更高电压/电流、强调耐久性和温度范围性能的非汽车类等其他领域,也会造成同样意想不到的连锁反应。
  • 碳化硅器件技术之近况与展望 碳化硅功率器件将快速成为车用半导体产业的明日之星。本刊特别邀请到在第三类半导体研究领域顶尖学者崔秉钺教授,为本刊撰文介绍碳化硅功率器件的发展概况与技术趋势,与读者分享此一重要科技领域的学术研究进展。
  • SMPS电感的安装方向会影响辐射吗? 开关模式电源(SMPS)产生的EMI辐射频谱是由许多参数组成的函数,包括热回路大小、开关速度(压摆率)和频率、输入和输出滤波、屏蔽、布局和接地。一个潜在的辐射源是开关节点,在很多原理图上称为SW。SW节点铜可用作天线,发射快速高效的高功率开关事件产生的噪声。这是大多数开关稳压器的主要辐射源。
  • 如何使用LTspice仿真来解释电压依赖性影响 问题:如何在电路仿真中考虑多层陶瓷电容器(MLCC)的直流偏置影响?答案:使用LTspice的非线性电容功能和合理的模型。
  • 如何为SiC MOSFET选择合适的栅极驱动器 尽管碳化硅(SiC)具有开关速度更快和效率更高等一系列优势,但它也带来了一些设计挑战,我们可以通过选择合适的栅极驱动器来予以解决。
  • 如何保护USB Type-C连接器免受静电放电和过热影响 移动设备工程师可以使用TVS二极管保护USB线路,使用数字温度指示器保护USB Type-C连接器,从而保护他们的设计。
  • “中国IC设计成就奖”提名产品简介:碳化硅肖特基二极管 碳化硅肖特基功率二极管在开关电源电路中的应用,更好的让电路工作在高频状态,减小电路中电感等元件体积重量,由于碳化硅肖特基二极管优良的耐温性能和低损耗特性,让电路中热沉的体积重量得到改善,便于优化电路的热设计,与此同时,应用了SOD123封装形式的该款器件,为功率二极管小型化提出了解决方案,更好的贴合对器件小型化和产品功率密度改善有要求的客户需求。该产品可应用于高频ACF,小功率GaN适配器,驱动部分自举电路,高频DC/DC电路等应用场合。G51XT碳化硅肖特基二极管已进入市场,有良好的市场反馈。
  • “中国IC设计成就奖”提名产品简介:屏蔽栅金属氧化场效 捷捷微电 (上海) 科技有限公司已推出的 N 沟道 100V 含自有先进平台 JSFET 系列中的 JMSH1001ATL ,采用了经 AEQ-101 验证、具超优热导性能的 PowerJE10x12 (TOLL) 创新型封装。
  • “中国IC设计成就奖”提名产品简介:超高耐压贴片SJ-MOS 维安面向全球市场,在800V及以上超高压产品进行了大量的技术投入,经过近多年的超高压SJ-MOSFET产品研发积累,已开发出国内非常领先的工艺技术,可以将小封装,高耐压导通电阻做到非常低水平。给客户提供高功率密度的800V及900V以上耐压产品。此举填补国内空白,打破了进口品牌垄断的局面。降低对国外产品依存度。维安1000V超结工艺产品技术利用电荷平衡原理实现高耐压的低导通电阻的特性。相比VD-MOSFET 结构工艺产品,SJ-MOSFET有更好的更小封装和成本优势。目前市场使用1000V耐压MOSFET,多以TO247, TO-3P甚至TO-268超大封装。维安1000V器件WMO05N100C2,使用TO-252/DPAK贴片封装,内阻低至3.5Ω,相比同规格VDMOSFET 6-7Ω 下降1倍。目前在工业控制,中低压配电等380VAC输入场景得到广泛应用。
  • 从技术角度分析,GaN和SiC功率器件上量还欠什么? 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)这两种新器件正在推动电力电子行业发生重大变化,它们在汽车、数据中心、可再生能源、航空航天和电机驱动等多个行业取得了长足的进步。在由AspenCore集团举办的PowerUP Expo大会上,演讲嘉宾们深入探讨了包括GaN和SiC在内的宽禁带(WBG)器件的技术优势以及发展趋势。
  • 充分挖掘SiC FET的性能 功率转换器的性能通常归结到效率和成本上。实际示例证明,在模拟工具的支持下,SiC FET技术能兼顾这两点。
  • 聚酰亚胺薄膜应用于数字隔离器 与传统的光耦合器相比,数字隔离器在高速、低功耗、高可靠性、小尺寸、高集成度和易用性方面更具优势。数以十亿计的使用微变压器的数字隔离器已广泛用于许多市场,包括汽车、工业自动化、医疗和能源。这些数字隔离器之所以具有高压性能,主要原因在于:在堆栈式绕组变压器的顶部螺旋绕组和底部螺旋绕组之间使用了聚酰亚胺膜。本文将介绍数字隔离器的结构,其中使用聚酰亚胺膜作为隔离层。为了满足多种安全标准,例如UL和VDE,数字隔离器需要具有承受短时耐受电压、浪涌电压、工作电压等各种高压性能。研究了聚酰亚胺在交流或直流等各种高压波形下的老化行为,并通过聚酰亚胺寿命模型推算出隔离器的工作电压。此外,还将讨论通过改进结构来改善聚酰亚胺的高压使用寿命。
广告
热门推荐
广告
广告
EE直播间
在线研讨会
广告
广告
面包芯语
广告
向右滑动:上一篇 向左滑动:下一篇 我知道了