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“中国IC设计成就奖”提名产品简介:SLMi33x优势

2022-03-01 中国IC设计成就奖组委会 阅读:
国内首款带DESAT保护功能并兼容光耦驱动的IGBT/SiC隔离驱动器,5kVrms隔离电压和高达10kV的隔离浪涌电压,CMTI超过100kV/us

奖项类别:驱动芯片LED驱动ICsRHednc

提名公司:上海数明半导体有限公司sRHednc

提名产品:SLMi33xsRHednc

推荐理由/产品简介:sRHednc

优势和亮点:国内首款带DESAT保护功能并兼容光耦驱动的IGBT/SiC隔离驱动器,5kVrms隔离电压和高达10kV的隔离浪涌电压,CMTI超过100kV/ussRHednc

sRHednc

SLMi33x内置快速去饱和(DESAT) 故障检测功能、米勒钳位功能、漏极开路故障反馈、软关断功能以及可选择的自恢复模式,兼容光耦隔离驱动器,为客户工程师提供高质量、高性能的替代方案。sRHednc

通过采用业界领先的双电容隔离技术和“OOK”传输技术,SLMi33x实现了5kVrms的隔离电压和高达10kV的隔离浪涌电压,并具有超过100kV/us (Min.)的共模瞬态抗扰度(CMTI),满足了SiC功率器件对CMTI的高要求,保证了在极端恶劣工作环境下的可靠性和稳定性。sRHednc

SLMi33x的DESAT阈值为6.5V或9V,其最大驱动电流有1.5A,2.5A和4.0A三档,可广泛应用于电机驱动、大功率变频器、不间断电源(UPS)、EV充电、逆变器等应用场景。sRHednc

SLMi33x在IGBT三相桥式的典型应用电路如图1所示。正常工作时,Anode和Cathode接收控制器的控制信号,VOUT输出驱动信号来驱动IGBT的开通和关断。当发生短路保护时候,IGBT的VCE电压通过DESAT检测,当DESAT上的电压高于6.5V或9.0V时,即关掉VOUT输出并传到控制端侧并拉低FAULT。sRHednc

主要大客户:比亚迪等新能源车企sRHednc

“中国IC设计成就奖” 评选并表彰业内优秀的中国 IC 设计公司、上游服务供应商和热门IC产品。2022年是行业评选的第20年,每年提名的热门IC产品都是工程师了解行业最新动态的绝佳资料,“芯品汇”栏目特地汇聚整理了今年提名产品的性能信息,希望能为工程师设计提供参考。更多提名产品,请访问:https://iic.eet-china.com/list.html。最终获奖产品将在4月20日-21日在上海国际会议中心盛大举行的2022国际集成电路展览会暨研讨会IIC Shanghai 2022期间揭晓,欢迎免费报名参观sRHednc

责编:Franklin
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