全新1200V器件提供领先市场的导通和开关性能

Qorvo今日宣布，将展示一种全新的无引线表面贴装（TOLL）封装技术，其高性能具体表现在：750V SiC FET拥有全球最低的5.4mΩ的导通阻抗。

新推出的微型超级电容器可在105℃温度下提供更长使用寿命、更高功率密度、更快速充电和更高可靠性，适合于汽车电子中的储能等应用。

Power Electronics News分析了一个以E类双频信号驱动运行的DC/DC升压转换器。

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的新一代宽禁带(WBG)材料的使用度正变得越来越高。在电气方面，这些物质比硅和其他典型半导体材料更接近绝缘体。

我一直觉得面试初级模拟工程师应聘人员是项挑战。我们很难知道在应试者刚入行时问他什么比较明智。

AC/DC转换器是扩展和改进电动汽车功能的基础元件。

东芝今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正（PFC）电路[1]的650V分立IGBT——“GT30J65MRB”。该产品于今日开始支持批量出货。

2023 年 3 月 8 日，意法半导体发布了九款针对 STM32WL无线微控制器 (MCU)优化的射频集成无源器件(RF IPD)。新产品单片集成天线阻抗匹配、巴伦和谐波滤波电路。

当地时间3月6日，英国政府公布新的《科学技术框架》，并表示将同时采取一系列新措施，投入3.7亿英镑（1英镑约合1.2美元）支持资金，促进创新投资，吸引世界上最优秀人才。

节省空间型器件采用小型2512封装，工作电压达1415 V，适用于汽车和工业应用

那天是星期一，必须要喝咖啡的，我是公司里第一个去到休息室的。我打开浓缩咖啡机和迷你音响，但音响里传来的不是音乐，而是轰鸣声……

汽车级200 V、400 V和 600 V器件厚度仅为0.88 mm，采用可润湿侧翼封装，改善热性能并提高效率

我需要用一个电路来限制某些耗散受限设备的电压。它必须将电压限制在最大1.5V，具有对称限制，能够接受2A的电流，并且在1V时漏电流小于100µA。可以用两个串联的齐纳二极管，阳极到阳极，达到目的，但稳压值为0.8V和2W耗散的齐纳二极管在市场上找不到。

GaN HEMT的保护电路必须比硅基MOSFET中使用的传统短路和过流保护方法更快。