印度政府周三批准了一项协议，该协议将使该国投入 230,000 千万卢比（约合 300 亿美元）支持将印度变成半导体制造强国的计划。政府补充说，它将投入 55,392 千万卢比（约合 75 亿美元）用于其电子制造计划，其中包括大规模电子制造、IT 硬件、促销活动和电子制造集群。

紫光集团破产重组即将尘埃落定之时，集团董事长赵伟国却突然于昨日发声强烈反对。以《谁的紫光》为题目，十问重整管理人钱凯和范元宁，并附12份附件，以实名举报的方式，表达了对重整计划的不满。

在2021 第 67 届 IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，三星和 IBM 在他们关于“设备级 3D”的讨论中宣布共同推出垂直传输场效应晶体管（VTFET），两家科技公司合作在设计技术上取得了重大突破，这项突破性的新技术允许晶体管垂直堆叠，与按比例缩放的FinFET相比，性能可实现翻倍，或将耗能降低85%。

昨日（12月14日），OPPO未来科技大会上正式宣布了其首款自研NPU芯片——马里亚纳MariSilicon X。这是一款专为影像能力服务的NPU芯片，将搭载在OPPO明年第一季度发布的Find系列旗舰手机上，会为消费者带来突破性的视频拍摄功能。

深受债务问题的国内芯片领域 “ 航母 ”紫光集团破产重整一事终于有了新的进展。然而最后胜出的并非网友们预测的浙江国资委和阿里巴巴，而是此前默默无闻的智路资本和建广资产。

在 IEDM 2021上，英特尔发布了一系列新公告，将推动和加速摩尔定律在 2025 年之后实现。这些技术包括整合量子物理突破、新封装和晶体管技术等。

据EDN电子技术设计报道，美国哈佛大学肯尼迪学院Belfer科学和国际事务中心（下文简称哈佛）日前发表最新研究报告显示，未来10年，即使不会超过美国，中国在包括量子计算、半导体、生物技术和清洁能源等领域将逼近美国，此外，尽管美国政府不甘于在一些领域被中国超越，但是中国在5G通讯、人工智能等领域已经开始领先美国。

台积电的路线是目前最正的，N7->N5->N3是为完整迭代的几个工艺节点，步子也迈得相当稳健；当然其中作为同代节点增强或演进的N6、N4等发展也挺顺遂。不过这其中的变数，最近似乎又多了一些。

近日，“富士康引入46台国产28nm光刻机”成为热点话题，就连腾讯新闻也开始推送这则新闻。有网友称这意味着大陆生产的光刻机实现从90nm到28nm的跨越，还有网友表示华为芯片的产能有望恢复，更有网友称ASML担忧的事情正在发生。但经过EDN小编的查证，“富士康引入46台国产28nm光刻机”其实是台媒闹了乌龙。

派恩杰的SiC MOSFET产品在新能源汽车OBC应用验证取得了重大突破，获得了新能源汽车龙头企业数千万订单，并已开始低调供货。

Mendix for Manufacturing Industries是一个将我们的平台垂直化的生态系统。我们的想法是让我们的技术更容易为特定制造行业所用。

三星移动负责人 TM Roh 于 11 月 10 日与来自 30 多家合作伙伴和供应商的代表讨论了全球芯片短缺问题，三星在会议上指出，直到 2022 年下半年，芯片组和射频芯片都将供不应求。

昨日，@魔法科技君 曝料称，华为正在研发一款名为“盘古”的处理器芯片，将会用于PC电脑设备，用来取代Intel酷睿、AMD锐龙，预计明年6月份正式发布。

在今天上午的骁龙技术峰会上，高通公司宣布了新的骁龙 8 Gen 1，它是去年骁龙 888 的直接后续产品。为了对比骁龙8 Gen 1与骁龙888的性能提升情况，EDN小编从处理器、支撑、5G调制解调器等方面做了简单的表格。

3D NAND制程始于氧化物与氮化物薄膜的交替沉积，接着做硬屏蔽沉积并在其上开孔，则垂直通道可被蚀刻出来。这就是高深宽比(HAR)蚀刻挑战的起点...