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功率器件
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功率器件
尼得科(NIDEC)与瑞萨电子合作开发新一代电动汽车用电驱系统E-Axle的半导体解决方案
尼得科和瑞萨电子已达成共识,将合作开发应用于新一代E-Axle(X-in-1系统)的半导体解决方案,该新一代E-Axle系统集成了电动汽车(EV)的驱动电机和功率电子器件。
瑞萨电子
2023-06-05
电源管理
功率器件
汽车电子
电源管理
将MOSFET用作恒温加热器
本电路中的MOSFET可以在恒温电路中用作加热器和温度传感器。该电路可用作培养皿中某些生物结构的微型恒温器,其他用途则可能包括塑料切割/焊接、电子元器件恒温,甚至软焊接。
Peter Demchenko
2023-06-02
功率器件
分立器件
模拟/混合信号/RF
功率器件
如何通过实时可变栅极驱动强度更大限度地提高SiC牵引逆变器的效率
在本文中,我们将重点介绍实时可变栅极驱动强度的技术优势,这项新功能可让设计人员优化系统参数,例如效率(影响电动汽车行驶里程)和 SiC 过冲(影响可靠性)。
德州仪器
2023-06-02
功率器件
新材料
电源管理
功率器件
应对电动汽车电驱动设计四大挑战,TI推出实时可变栅极驱动强度的栅极驱动器
在进行电动汽车高压电源以及电驱动设计时,工程师有四大目标:第一,希望设计出更高效的牵引逆变器;第二,需要提高功率密度;第三,需要设计出高可靠性的系统;第四,需要降低系统复杂度。
赵明灿
2023-05-31
汽车电子
功率器件
电源管理
汽车电子
新兴技术将如何推动嵌入式物联网连接的未来?
许多技术,如5G、机器学习、边缘计算、更快更高效的处理器以及低功率广域网络(LPWAN)正在推动嵌入式物联网连接的未来。这些技术使这些智能设备能够广泛应用于游戏、国防、医疗保健、制造和供应链等各个行业。
Saumitra Jagdale
2023-05-31
物联网
嵌入式系统
自动驾驶
物联网
泰克推出基于示波器的双脉冲测试解决方案,加快SiC和GaN技术验证速度
泰克科技公司日前宣布,推出最新双脉冲测试解决方案 (WBG-DPT解决方案)。
泰克
2023-05-31
测试与测量
新材料
功率器件
测试与测量
Transphorm发布业界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型
该器件已准备就绪:为Transphorm的创新常关型氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统
Transphorm
2023-05-31
新材料
功率器件
电源管理
新材料
电力电子科学笔记:半导体器件中的噪声
检验功率半导体器件中的各种噪声源,例如热噪声和散粒噪声。
Marcello Colozzo
2023-05-31
模拟/混合信号/RF
嵌入式系统
安全与可靠性
模拟/混合信号/RF
Vishay推出厚膜功率电阻器,可选配NTC热敏电阻和PC-TIM简化设计,节省电路板空间并降低成本
器件通过AEC-Q200认证,采用SOT-227小型封装,可直接安装在散热器上,具有高脉冲处理能力,功率耗散达120W
Vishay
2023-05-31
分立器件
功率器件
新品
分立器件
东芝推出小型光继电器,高速导通有助于缩短半导体测试设备的测试时间
东芝今日宣布,推出采用S-VSON4T封装的光继电器——“TLP3476S”,其导通时间与东芝当前产品TLP3475S相比缩短了一半。
东芝
2023-05-25
功率器件
电源管理
测试与测量
功率器件
小型专用电池分析仪设计
本文介绍了一种小型专用电池分析仪设计,借此就可将我们对便携式电子设备中所用小型电池的“一厢情愿”从其“实际性能”中区分开来。
Steve Hageman
2023-05-24
电池技术
电源管理
模拟/混合信号/RF
电池技术
意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管,优值系数提高40%
意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on),优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。
意法半导体
2023-05-24
功率器件
分立器件
电源管理
功率器件
Vishay推出新型第三代650V SiC肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性
器件采用MPS结构设计,额定电流4A~40A,正向压降、电容电荷和反向漏电流低
Vishay
2023-05-23
功率器件
新材料
电源管理
功率器件
意法半导体的100W和65W VIPerGaN功率转换芯片节省空间,提高消费电子和工业应用的能效
意法半导体高压宽禁带功率转换芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65两款产品,适合最大功率100W和65W的单开关管准谐振 (QR)反激式功率转换器。
意法半导体
2023-05-19
电源管理
功率器件
新材料
电源管理
东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET,适用于快充设备
中国上海,2023年5月18日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”,该器件
东芝
2023-05-18
功率器件
电源管理
电池技术
功率器件
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