在进行电动汽车高压电源以及电驱动设计时，工程师有四大目标：第一，希望设计出更高效的牵引逆变器；第二，需要提高功率密度；第三，需要设计出高可靠性的系统；第四，需要降低系统复杂度。

许多技术，如5G、机器学习、边缘计算、更快更高效的处理器以及低功率广域网络(LPWAN)正在推动嵌入式物联网连接的未来。这些技术使这些智能设备能够广泛应用于游戏、国防、医疗保健、制造和供应链等各个行业。 

泰克科技公司日前宣布，推出最新双脉冲测试解决方案 (WBG-DPT解决方案)。

该器件已准备就绪：为Transphorm的创新常关型氮化镓平台应用于新一代汽车和三相电力系统

检验功率半导体器件中的各种噪声源，例如热噪声和散粒噪声。

器件通过AEC-Q200认证，采用SOT-227小型封装，可直接安装在散热器上，具有高脉冲处理能力，功率耗散达120W

东芝今日宣布，推出采用S-VSON4T封装的光继电器——“TLP3476S”，其导通时间与东芝当前产品TLP3475S相比缩短了一半。

本文介绍了一种小型专用电池分析仪设计，借此就可将我们对便携式电子设备中所用小型电池的“一厢情愿”从其“实际性能”中区分开来。

意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS(on)，优值系数 (FoM) 比上一代同类产品提高40%。

器件采用MPS结构设计，额定电流4A~40A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低

意法半导体高压宽禁带功率转换芯片系列新增VIPerGaN100 和 VIPerGaN65两款产品，适合最大功率100W和65W的单开关管准谐振 (QR)反激式功率转换器。

中国上海，2023年5月18日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件