法国研究机构CEA-Leti认为，突破“内存墙”的障碍，并推动新的架构方案，才能为快速成长的人工智能(AI)应用带来更高效率的运算性能…

自三星Note7接连自燃之后，NAND Flash和DRAM的价格疯涨，进而带动了内存条和固态硬盘等商品价格暴涨，在内存条在高位时价格涨了4倍，广大网友调侃：“内存条快涨成金条了”。国内智能手机厂商和个人电脑厂商也深受其害，下游厂商对于三星等公司肆意涨价敢怒而不敢言。

自从三星颗粒厂“boom shakalaka”以来，内存的价格一直居高不下，限制了很多人的购买欲望。然而就在目前内存价格如此高的情况下，市面上居然有价格相当低廉的“内存条”，让众多消费者惊喜不已，但究竟真实情况是怎样的呢？

自文明的曙光乍现以来，磁盘驱动器和RAM（随机存取存储器）之间不堪的I/O关系一直是计算瓶颈。SSD（固态硬盘）的出现松缓但却并没有改变这一I/O瓶颈。有三项进展正在密谋将这个瓶颈推向CPU（中央处理器）。

新兴内存可望在嵌入式应用中找到大量市场，取代在微控制器(MCU)与ASIC中储存程序代码的NOR闪存(flash)。

以紫光为代表的中国大陆半导体产业的兴起引起了美国、日本和台湾的高度关注。日本东芝出售旗下半导体公司标志着日本半导体产业的又一大衰退。从日本半导体产业的兴衰我们可以学习到什么？

究竟是什么样的声音会严重影响硬盘工作？如果有黑客利用此类声音发起攻击会产生怎样的后果？如何避免以上情况的发生？

当开发出8核2GHz处理器，且正开始进行初代芯片的取样，但客户一如往常提出更多的要求。那时我们讨论的话题围绕着：「该增加多少？真的需要吗？如果市场确实需要更多，该升级的是什么？」接下来该怎么做？我们必须找出市场和我们产品组合中缺少的部分，更重要的是，想满足什么样的新兴应用和使用案例？

1968年6月4日，IBM TJ Watson研究中心的RobertDennard博士提出的单晶体管DRAM单元以及三晶体管单元基本设计获得了专利授权。

这项基于可工业化生产的半导体集成电路制造工艺的工作，将大幅提高数据交换速度，降低网络芯片的制造成本，进而从理论上为“万物互联”打下基础。同时，还可为数据“打上”标签，为未来物联网社会增添更多想象。

关键字：物联网的Flash

到了2021年，3D-NAND的堆叠层数会超过140层，而且每一层的厚度会不断的变薄。

业界开始重新审视十年前开发的处理器架构，看好速度较GPU更快1万倍的所谓「内存式运算」(In-Memory Computing；IMC)，将有助于新一代AI加速器发展。

“我们正在攻关的是基于相变存储器的3D XPOINT存储器技术，预计明年能在实验室研发成功。到时候，芯片的读写速度会比现在快1000倍，可靠性提高1000倍，一旦产业化成功，将颠覆产业格局。目前，英特尔等产业巨头也在研究这一方向。”研发负责人、教育部“长江学者”特聘教授、华中科技大学光电学院副院长缪向水介绍。

在这个智能音箱遍地开花的时代，继阿里、百度之后，腾讯也加入了这场大战。腾讯听听音箱于2018年4月20号正式上市，售价699元，这款产品基于腾讯自家的AI Lab打造，下面为大家带来这款产品的拆解报告。